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公开(公告)号：CN1950692A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580009249.8
申请日：2005-03-23
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 松下电工株式会社
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00 , G01N21/3504 , G01N21/774 , G01N21/7746 , G01N2021/7776
Abstract: 本发明提供一种使用光子晶体检测目标物质的目标物质传感器及其方法，该目标物质传感器具有高灵敏度并可减小尺寸。本发明的传感器包括提供电磁波的电磁波源、光子传感器元件和检测器。该光子传感器元件具有光子晶体结构并配置为包括：传感器波导，用于引入电磁波；以及传感谐振器，与该传感器波导电磁耦合，用于使特定波长的电磁波谐振。该传感谐振器暴露于包含目标物质的气氛中以改变从传感谐振器发出的电磁波的性质。该检测器配置为接收从该传感谐振器发出的电磁波以识别电磁波的强度变化，并发出表示目标物质性质的信号。
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公开(公告)号：CN1081833C
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN96122891.1
申请日：1996-10-30
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L29/0657 , H01L29/0873 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/78624
Abstract: 一种SOI(绝缘体上硅)型薄膜晶体管，包括掩埋氧化层、第一导电类型的硅层，以及上氧化层。硅层具有第二导电类型的体区、第一导电类型的源区、漏区以及漂移区。硅层形成有在其中形成掺杂区且厚度为T1的第一部分，以及在其中形成到达掩埋氧化层的体区且厚度为T2的第二部分。确定厚度T1和T2，以便满足以下关系式：0.4μm＜T1；0.4μm≤T2≤1.5μm；以及T2＜T1。此晶体管显示出改进的功耗、高的击穿电压和低的导通电阻，同时也具备制作工艺方法的优点。
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公开(公告)号：CN1248039C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02107812.2
申请日：2002-03-21
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B2006/12145 , G02F1/0131 , G02F1/0147 , G02F1/292 , G02F1/293 , G02F1/313 , G02F2202/32
Abstract: 本发明提供了具有光学晶体的小型偏光装置，它能以可控角度偏转入射到光学晶体上的光束，从光学晶体输出具有预期方向的透射光束。该偏光装置包括：光学晶体，其具有与入射到该光学晶体的光束的波长不同的光禁带波长，和用于给光学晶体施加大量能量的偏转控制器，以偏转入射到光学晶体一侧的光束，和从光学晶体的另一侧提供透射光束，相对入射光束形成预期角度。其中所述光学晶体包括至少两种具有不同折射率的材料，并且这些材料形成周期性的结构。
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公开(公告)号：CN1376941A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02107812.2
申请日：2002-03-21
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00 , G02B2006/12145 , G02F1/0131 , G02F1/0147 , G02F1/292 , G02F1/293 , G02F1/313 , G02F2202/32
Abstract: 本发明提供了具有光学晶体的小型偏光装置,它能以可控角度偏转入射到光学晶体上的光束,从光学晶体输出具有预期方向的透射光束。该偏光装置包括光学晶体,它设计用来使与光束波长不同的光禁带波长的光入射到光学晶体上,和用于给光学晶体施加大量能量的偏转控制器,以偏转入射到光学晶体一侧的光束,和从光学晶体的另一侧提供透射光束,相对入射光束形成预期角度。
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