公开(公告)号：CN118868578A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411321616.9

申请日：2024-09-23

Applicant: 湖南大学

Inventor： 彭英舟 ,  赵崇宇 ,  王泉洁 ,  曹一明 ,  王开春 ,  帅智康

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/00 ,  H02M1/38

Abstract: 本发明公开了一种基于推挽式电路的SiC‑MOSFET串扰振荡抑制电路及方法，抑制电路包括：推挽式电路、状态开关管、电容#imgabs0#和电感#imgabs1#；推挽式电路包括开关管#imgabs2#和#imgabs3#，其中#imgabs4#的源极经过#imgabs5#点连接于隔离供电模块的负压输出端#imgabs6#，#imgabs7#的栅极和#imgabs8#的栅极均经过#imgabs9#点连接于#imgabs10#，#imgabs11#的源极经过#imgabs12#点连接于0V网络，#imgabs13#的漏极和#imgabs14#的漏极均经过#imgabs15#点连接于状态开关管#imgabs16#的栅极；#imgabs17#的源极连接于#imgabs18#点，#imgabs19#的漏极连接于#imgabs20#的栅极；电容#imgabs21#的两极分别连接于0V网络和#imgabs22#点，电感#imgabs23#的两端分别连接于#imgabs24#点和#imgabs25#点；本发明不影响器件开关速度、无需额外控制信号的前提下，有效抑制了串扰振荡。