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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117220035A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311469855.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于天线技术领域，涉及一种圆极化磁电偶极子天线，包括：磁偶极子以及设在辐射层上的电偶极子；所述电偶极子包括四个在辐射层上呈中心对称分布的辐射贴组，所述辐射贴组包括第一辐射贴片以及第二辐射贴片；所述第一辐射贴片与辐射层中心的距离小于所述第二辐射贴片与辐射层中心的距离，所述第一辐射贴片与所述第二辐射贴片相连，且激励起来的两个正交兼并模具有90度相位差；所述磁偶极子包括两个呈“U”形结构的辐射柱，所述辐射柱的四个末端分别与四个第一辐射贴片相连。采用本申请能够在工作频段内实现圆极化辐射。
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公开(公告)号：CN116298473B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310554953.1
申请日：2023-05-17
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于电压测量技术领域，涉及芯片引脚电压的非接触测量方法、装置、设备和介质。方法包括：获取参考芯片和待测芯片的性能参数，构建第一仿真模型以及第二仿真模型；设置仿真条件进行计算，得到第一仿真结果以及第二仿真结果；根据第一仿真结果，得到参考芯片的引脚时域电压、与参考芯片对应的同轴线缆探针的时域输出电压以及与第一仿真模型对应的频域传输函数，并计算反射修正因子；根据第二仿真结果，得到与待测芯片对应的同轴线缆探针的时域输出电压以及与第二仿真模型对应的频域传输函数，并根据反射修正因子，得到待测芯片的引脚时域电压。采用本申请能够通过非接触测量手段得到芯片引脚电压。
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公开(公告)号：CN116231301B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310490332.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于天线技术领域，涉及双馈电可编程单元及反射辐射单双波束扫描阵列天线。双馈电可编程单元包括：辐射层、介质层以及控制层，辐射层以及控制层分别设在介质层的顶面和底面；辐射层包括：第一辐射贴片和第二辐射贴片，第一辐射贴片为正六边环形结构，第二辐射贴片为矩形结构；第一辐射贴片与第二辐射贴片的中心重合，第二辐射贴片的一组对边分别与第一辐射贴片内环的一组对边平行且均以二极管相连；控制层与辐射层相连，以控制其中一个二极管导通、另一个二极管截止或两个二极管均截止的状态，实现反射和辐射，并支持可编程。本申请能够实现反射辐射双馈电，且实现方式简单。
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公开(公告)号：CN116298473A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310554953.1
申请日：2023-05-17
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于电压测量技术领域，涉及芯片引脚电压的非接触测量方法、装置、设备和介质。方法包括：获取参考芯片和待测芯片的性能参数，构建第一仿真模型以及第二仿真模型；设置仿真条件进行计算，得到第一仿真结果以及第二仿真结果；根据第一仿真结果，得到参考芯片的引脚时域电压、与参考芯片对应的同轴线缆探针的时域输出电压以及与第一仿真模型对应的频域传输函数，并计算反射修正因子；根据第二仿真结果，得到与待测芯片对应的同轴线缆探针的时域输出电压以及与第二仿真模型对应的频域传输函数，并根据反射修正因子，得到待测芯片的引脚时域电压。采用本申请能够通过非接触测量手段得到芯片引脚电压。
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公开(公告)号：CN116231301A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310490332.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于天线技术领域，涉及双馈电可编程单元及反射辐射单双波束扫描阵列天线。双馈电可编程单元包括：辐射层、介质层以及控制层，辐射层以及控制层分别设在介质层的顶面和底面；辐射层包括：第一辐射贴片和第二辐射贴片，第一辐射贴片为正六边环形结构，第二辐射贴片为矩形结构；第一辐射贴片与第二辐射贴片的中心重合，第二辐射贴片的一组对边分别与第一辐射贴片内环的一组对边平行且均以二极管相连；控制层与辐射层相连，以控制其中一个二极管导通、另一个二极管截止或两个二极管均截止的状态，实现反射和辐射，并支持可编程。本申请能够实现反射辐射双馈电，且实现方式简单。
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