一种晶圆后处理系统
    11.
    实用新型

    公开(公告)号:CN210325701U

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201920898239.3

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 本实用新型涉及化学机械抛光后处理技术领域,公开了一种晶圆后处理系统,包括:晶圆提升装置,用于从清洗液中提拉浸入清洗液的晶圆;气体喷射装置,用于在晶圆从清洗液中提升的过程中,向晶圆表面附着的清洗液的弯液面区域喷射第一温度的干燥气体,以使晶圆表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆表面剥离;液面监测装置,与气体喷射装置连接,用于检测弯液面区域的位置以使气体喷射装置喷射的干燥气体对准该弯液面三相接触线区域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种基于马兰戈尼效应的晶圆后处理系统和方法

    公开(公告)号:CN110265327B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN201910517168.2

    申请日:2019-06-14

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域,公开了一种基于马兰戈尼效应的晶圆后处理系统和方法,系统包括:晶圆提升装置,用于从清洗液中提拉浸入清洗液的晶圆;气体喷射装置,用于在晶圆从清洗液中提升的过程中,向晶圆表面附着的清洗液的弯液面区域喷射第一温度的干燥气体,以使晶圆表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆表面剥离。

    一种基板清洗头及基板清洗装置

    公开(公告)号:CN110153078B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN201910440120.6

    申请日:2019-05-24

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种基板清洗头,包括:具有一定厚度的圆盘状基座及同心连接于所述基座下表面的圆形清洁垫,所述基座沿厚度方向具有多个流体通道,所述清洁垫具有多个通孔,每个通孔耦合至不同的流体通道,使得清洗液可经由所述多个通孔中的一部分喷射至基板表面并在与污染物结合后经由另一部分通孔吸走;所述清洁垫的截面半径小于所述基座的截面半径,所述基座的外周侧设置有斜向贯通的冲洗通道,使得冲洗液可通过冲洗通道的上方端口及冲洗通道经由位于清洁垫外侧的下方端口流出,以去除附着于清洁垫外周侧的污染物。

    一种磨削工作台和晶圆减薄设备

    公开(公告)号:CN111421412B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202010430230.7

    申请日:2020-05-20

    Abstract: 本发明公开了一种磨削工作台和晶圆减薄设备,包括:用于承载晶圆吸盘的安装板、转盘、气浮支撑结构和驱动机构,安装板固定在转盘上,转盘包括主体部和从主体部的边缘向下向外延伸形成的环状边缘部,气浮支撑结构在其上部的内侧具有用于间隙包围转盘的边缘部的环状凹槽,以使所述边缘部在转动时悬浮于所述凹槽内并在静止时紧压所述凹槽的下表面限制所述转盘移动,驱动机构与转盘连接以驱动转盘带动安装板旋转。

    具有极化功能的抛光液输送装置和化学机械抛光设备

    公开(公告)号:CN113103151A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110499294.7

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种具有极化功能的抛光液输送装置和化学机械抛光设备,其中,抛光液输送装置包括:基座,所述基座上设有基座孔;转轴,所述转轴设在所述基座孔内,且所述转轴设置为在所述基座孔内可选择性地转动;悬臂,所述悬臂相对于所述转轴可转动地连接在所述转轴上,其内部中空;抛光液管,所述抛光液管穿过所述基座孔后伸入所述悬臂内,用于输送抛光液或气体;喷嘴组件,与所述抛光液管连通,所述喷嘴组件包括喷嘴座和设于喷嘴座下方的至少一个喷嘴;极化单元,用于对抛光液进行极化处理。

    可调温的抛光液输送装置和化学机械抛光设备

    公开(公告)号:CN113070812A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110498958.8

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种可调温的抛光液输送装置和化学机械抛光设备,其中,抛光液输送装置包括:基座,所述基座上设有基座孔;转轴,所述转轴设在所述基座孔内,且所述转轴设置为在所述基座孔内可选择性地转动;悬臂,所述悬臂相对于所述转轴可转动地连接在所述转轴上,其内部中空;抛光液管,所述抛光液管穿过所述基座孔后伸入所述悬臂内,用于输送抛光液或气体;喷嘴组件,与所述抛光液管连通,所述喷嘴组件包括喷嘴座和设于喷嘴座下方的至少一个喷嘴;调温单元,用于对抛光液或气体进行冷却或升温,所述调温单元环绕抛光液管设置、和/或、不同喷嘴处分别设有不同调温单元以实现向抛光垫表面不同位置喷淋不同温度物质,从而调控抛光温度。

    一种化学机械抛光装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN113059480A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN201911413659.9

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 一种化学机械抛光装置,包括:抛光垫、承载头、修整器、传感器组件和控制器;所述抛光垫固定于耦接至第一驱动组件的抛光盘上;所述承载头耦接至第二驱动组件,用于将基板抵压于所述抛光垫上进行抛光;所述修整器耦接至第三驱动组件,用于在抛光过程中对所述抛光垫进行修整;所述传感器组件与第一驱动组件和/或第二驱动组件和/或第三驱动组件连接,用于传送至少一个驱动组件产生的实时数据信号;所述控制器用于接收所述实时数据信号并根据该信号控制抛光过程。

    晶圆磨削方法及晶圆磨削系统

    公开(公告)号:CN111730431A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010749664.3

    申请日:2020-07-30

    Abstract: 本申请涉及一种晶圆磨削方法,其包括以下步骤:面形特征检测步骤,在该步骤中在晶圆的待磨削表面上选择多个测量点并测量晶圆在各个测量点处的厚度;面形特征识别步骤,在该步骤中基于在所述面形特征检测步骤中测得的各个厚度来获取所述待磨削表面的饱满度;位姿调节磨削步骤,在该步骤中基于在所述面形特征识别步骤中得到的饱满度来调整用于载置所述晶圆的晶圆工作台与用于进行磨削操作的磨削工具之间的相对空间位置关系,从而通过所述磨削工具对所述待磨削表面进行补偿性磨削操作。本申请还涉及构造成实施所述晶圆磨削方法的磨削系统。本申请具有能够提高晶圆磨削的效率和精度的优点。

    晶圆偏转装置和晶圆处理装备

    公开(公告)号:CN111540704B

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010660034.9

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 本申请公开了一种晶圆偏转装置,包括晶圆托架和驱动晶圆托架在第一定向和第二定向之间摆动的驱动机构,其控制晶圆托架以符合预定的角速度‑时间曲线的方式从第一定向摆动到第二定向,角速度‑时间曲线包括至少一个加速段和至少一个减速段,驱动机构包括摆动轴和驱动摆动轴旋转的电机组件,晶圆托架与摆动轴连接以随摆动轴摆动,晶圆托架包括弓形托臂,弓形托臂的轮廓为90o‑180o的圆弧,弓形托臂上对称的设置有多个凸起状的用于托起支撑晶圆的支托部,支托部具有深度为3mm‑4mm的用于载置晶圆的V形槽,支托部彼此之间沿弓形托臂的轮廓方向相距超过10mm并且他们长度之和不超过118mm。本申请还公开了一种具有上述晶圆偏转装置的晶圆处理装备。

    晶圆对心装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111627853A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010749056.2

    申请日:2020-07-30

    Abstract: 一种晶圆对心装置,包括:晶圆支撑轮组,其包括相对设置的第一晶圆支撑轮组和第二晶圆支撑轮组,和对心支架,其包括相对设置的第一对心支架和第二对心支架;所述第一对心支架和第二对心支架各自包括一对卡爪,每个卡爪包括卡爪支撑面,所述卡爪支撑面设置在所述卡爪的靠近晶圆一侧的端部上;所述卡爪进一步包括卡爪凸台,所述卡爪凸台设置在所述卡爪支撑面的远离晶圆一侧的末端上并且包括面向晶圆一侧的端面,并且所述滚轮包括滚轮轴肩支撑面,其在所述卡爪支撑面未对所述晶圆形成支撑时支撑所述晶圆,所述滚轮轴肩支撑面设置为斜坡形态,其坡度大于等于5°且小于等于20°。

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