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公开(公告)号：CN101804968A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010129715.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米级氧化物粉体的合成方法，属于超细粉制备技术领域。该方法是在将酸性物质和碱性物质分别加入到适当的分散剂和表面活性剂中，通过一定的分散条件下均匀分散后，两种混合物再次在一定的混合条件和适当的温度下混合反应，从而直接合成所需要的氧化物纳米粉体。本合成方法不需要经过高温煅烧，抑制了团聚的产生和晶粒的过分长大，可以直接从溶液中制备粒径为5～100nm、粒子颗粒大小均匀、颗粒分布窄、成分均匀稳定的氧化物粉体。本合成方法所制备的粉体均有较高的化学活性，应用范围广泛。
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公开(公告)号：CN1258783C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02146520.7
申请日：2002-10-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种用于贱金属电极的高介电、抗还原电容介质材料。该材料由BaTiO3与BaZrO3以及BaSnO3组成的主料固溶体Bax(ZrySnzTi1-y-z)O3，及二次添加物组成的陶瓷材料，可以在1000℃～1350℃的温度范围内，在还原气氛中分两段烧结，形成具有优良的介电性能和显微结构的Y5V型用于贱金属电极的高介电、抗还原电容介质材料。材料的室温介电常数介于8,000～15,000，容温变化率介于+22%～-82%，室温介电损耗≤2.5%，交流击穿场强高于4.5kV/mm，陶瓷晶粒尺寸介于500nm～2,500nm。该陶瓷材料可以与贱金属共烧成独石体电容器。是一种适用于制造以贱金属电极的大容量、具有广泛应用前景的MLCC材料。
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公开(公告)号：CN1397961A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01120531.8
申请日：2001-07-19
Applicant: 清华同方股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: C04B35/2633 , C04B35/265 , C04B35/6261 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3265 , C04B2235/3267 , C04B2235/327 , C04B2235/3277 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/767 , H01F1/348 , H01F1/37
Abstract: 本发明涉及一种甚高频片感材料的配方和制备方法。现有技术中尚无高性能低烧铁氧体材料，只能用低介陶瓷作为介质制作低电感量的多层片式电感代替。该材料的主料为平面六角软磁铁氧体，配料为低温助烧剂。制备方法为固相反应合成法，助烧剂采用二次掺杂，通过球磨、烘干、预烧、球磨、烘干、造粒、成型、烧结等工艺获得性能优异的甚高频电感器材料，实现900℃以下低温烧结。本发明成本低、性能高、适用于300M～800MHz的甚高频段使用的片感器材料的要求。
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公开(公告)号：CN101804968B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010129715.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米级氧化物粉体的合成方法，属于超细粉制备技术领域。该方法是在将酸性物质和碱性物质分别加入到适当的分散剂和表面活性剂中，通过一定的分散条件下均匀分散后，两种混合物再次在一定的混合条件和适当的温度下混合反应，从而直接合成所需要的氧化物纳米粉体。本合成方法不需要经过高温煅烧，抑制了团聚的产生和晶粒的过分长大，可以直接从溶液中制备粒径为5～100nm、粒子颗粒大小均匀、颗粒分布窄、成分均匀稳定的氧化物粉体。本合成方法所制备的粉体均有较高的化学活性，应用范围广泛。
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公开(公告)号：CN102166540A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010608569.8
申请日：2010-12-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种可施加磁场的新型球磨罐，属于粉体的球磨和化学合成技术领域。其特种在于，球磨罐的上盖和底部设计有空腔，上盖顶部和罐底有可旋紧可取下的活动外盖，以在空腔内安装和更换永磁体。并通过更换磁铁及调整上下永磁体南北磁极的位置得到有磁场大小不同和磁力线分布状况各异的磁场。能较方便的在磁场下进行各种粉体的合成和粉碎，研究磁场对合成和粉碎过程的作用。尤其对于铁氧体等磁性材料的合成和粉碎，磁场强度和磁力线的分布方式可变，可获得特殊形状的纳米颗粒，可望开发出一些新的应用。采用这种的合成方法简单有效，成本低廉。
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公开(公告)号：CN1174443C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01120531.8
申请日：2001-07-19
Applicant: 清华同方股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: C04B35/2633 , C04B35/265 , C04B35/6261 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3265 , C04B2235/3267 , C04B2235/327 , C04B2235/3277 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/767 , H01F1/348 , H01F1/37
Abstract: 本发明涉及一种甚高频片感材料的制备方法。现有技术中尚无高性能低烧铁氧体材料，只能用低介陶瓷作为介质制作低电感量的多层片式电感代替。该材料的主料为平面六角软磁铁氧体，配料为低温助烧剂。制备方法为固相反应合成法，助烧剂采用二次掺杂，通过球磨、烘干、预烧、球磨、烘干、造粒、成型、烧结等工艺获得性能优异的甚高频电感器材料，实现900℃以下低温烧结。本发明成本低、性能高、适用于300M～800MHz的甚高频段使用的片感器材料的要求。
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公开(公告)号：CN1121048C
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN00123598.2
申请日：2000-08-25
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01F1/348 , C01G49/0036 , C01G49/009 , C01G51/006 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C01P2006/60 , C04B35/2633 , C04B35/64 , H01F1/344 , H01F17/0013 , H01F17/04 , H01F41/0246
Abstract: 本发明涉及一种高性能低烧甚高频叠层片式电感材料及其制备方法。该材料的主料成份为Ba3Co2Fe24O41改性添加剂为氧化铜等。烧结助剂为氧化铋等。制备方法为化学合成法，添加助烧剂方式为二次掺杂，化学包覆法或氧化物直接掺入法两种方式加入。本发明的配方和制备工艺方法可以获得性能优异的叠层片式电感材料，主料的成相温度低、粒度均匀、烧结性能好、烧结温度低、密度高。
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