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公开(公告)号：CN102290362B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110207401.0
申请日：2011-07-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位系统误差的校正方法。通过使用电阻或者晶体管之类的特定的微测试结构来捕捉和记录激光光束的扫描路径，通过测量微测试结构的电特性来提取芯片阵列相对于激光扫描路径的系统性的定位位置差，并由放置晶圆片的精密机械手或者加工片台进行附加的移动而补偿位置，通过量测所制作的微结构的电学特性，可掌握晶圆片对准系统性误差的量级与特质，最后借助精密机械手或者扫描片台的附加移动，来校正晶圆片对准的系统性误差，取得均匀一致的激光加工效果。
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公开(公告)号：CN102169815A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110056224.0
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的真空激光处理装置及处理方法。所述装置由多个真空激光处理腔构成。并在多个真空的激光处理腔外，配置了环形轨道和取送片机械手，机械手在环形轨道上运行；激光光束位于多个真空激光处理腔之间，通过机械部件带动，可处于欲处理真空激光处理腔的上方，并且进行扫描移动，使激光光束在各真空激光处理腔顶面通过激光透明窗口轮转对真空激光处理腔内的晶圆片进行激光辐照处理，极大地提高了激光光束的利用效率；并且环形轨道上的机械手与其配合，不停地将晶圆片送入、取出，在各真空激光处理腔之间轮转工作，使整个装置处在充分并行的工作状态下，从而提高真空激光处理装置加工效率。
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公开(公告)号：CN102163540A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010621831.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的涉及半导体超浅结制造中的一种用于深紫外激光退火的三片式加热片台扫描装置。该加热片台扫描装置采用A加热片台、B加热片台和C加热片台连接成品字型加热片台，旋转托盘放置在该品字型加热片台上，该加热片台扫描装置可以沿X和Y方向做匀速或步进式移动，当对C加热片台上的圆片实现激光退火扫描时，A、B加热片台上的圆片被预加热。从而减少了圆片达到热平衡状态的等待时间。圆片是通过一个可旋转的托盘依次在A、B、C三个加热片台上逆时针切换，减少了圆片转移过程中的温度分布变化，提高了设备利用率。
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公开(公告)号：CN102157347A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010621833.1
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的激光热处理装置和方法。该装置采用了多个工艺处理腔，晶圆片由外部机械手从底部送入处理腔，片托接过晶圆片后，机械手退出。由顶杆带动晶圆片逐渐向上，晶圆片将被逐渐加热。当晶圆片升至处理腔顶部时，可以在那里停留一段时间，等待预热稳定。其后，移动至处理腔上方，并且在移动机构的带动下，等到处理完成后，激光光束移开，至另一个晶圆片已经预热完成的处理腔的上方。对那里的晶圆片进行激光处理。本发明对于晶圆片的激光热处理采用在各工艺腔中轮转进行的方式，使得对激光源的利用效率达到最高，且预升温、激光辐照、降温三个必要的工艺过程是充分并发执行的。提高设备运转效率。
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公开(公告)号：CN102157344A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010567312.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备及半导体超浅结制造技术范围的一种用于深紫外激光退火的加热片台扫描装置。该扫描装置为激光束固定不动，A、B双加热片台的结构完全相同，并排固定于加热片台固定板上面，加热片台固定板下面固定X2平移台面，X2电动平移台安装在X2平移台面上，X1电动平移台通过X1平移台面和X2电动平移台连接；X1电动平移台下面分别通过Y1平移台面和Y2平移台面与Y1电动平移台和Y2电动平移台连接；通过X1电动平移台在X-Y两个方向的移动，完成对整个半导体圆片的退火；从而减少了为使圆片达到工艺所要求温度的热平衡状态的等待时间。要进行激光退火的预加热的圆片无需转移，提高了设备利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102064460A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010515025.7
申请日：2010-10-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造中的检测技术范围，涉及应用于半导体晶圆片激光热处理的一种倍频激光器的功率测控方法。将倍频之前的激光分出一束来，由探测器进行光强和功率的测量与控制。因为这类光学元件只需要适应于倍频之前的处在可见光波段的较长激光波长，与传统的，仅对最终输出激光的功率进行测控的方法相比，当输出激光的波长处于紫外、深紫外波段时，传统方法的实现难度很大；采用本发明方法，则比较容易处理，从而使测控的光学系统实现起来更加简捷方便，既能够起到很好地监控实际输出功率的作用，实现的成本大大降低，在另一方面也充分考虑和利用到了倍频激光器源的特点，可更好地满足激光器稳定输出功率的测控目的。
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公开(公告)号：CN101459057B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810241107.X
申请日：2008-12-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种用于半导体激光退火设备及退火工艺。该激光退火设备，由准分子激光源，激光光束的扩束、匀束、边沿处理等的光路，二维精确移动平台，预加热控温片台，以及整机自动控制系统构成。其中退火激光源采用先进的大功率准分子脉冲激光。激光器出射激光经扩束、整形、匀束、边沿处理后，经过镜面系统反射，最终照射到待退火晶圆片表面的退火场。本发明对预加热和逐场步进技术要求实行优化，实现更加容易。由于采用逐场步进式退火，带来更加均匀的场内、场间退火效果。能够方便地对光束处理系统和精确移动机构进行冷却保温，有利于提高退火光束质量和退火效果的重复性、均匀性。
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公开(公告)号：CN102290342B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110259211.3
申请日：2011-09-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种采用六边形束斑进行激光扫退火的方法。所述六边形的激光束斑，通过在光路中两两相对放置的四块可以独立活动的挡板机构来实现，即上挡板和下挡板为独立或同步地移动；左挡板和右挡板为独立或同步地移动，四块均为矩形挡板，其中上挡板和下挡板或者左挡板和右挡板相对的一边，各自开一V形开口，形成六边形的顶角A，顶A角顶点在中心线上。当六边形束斑的激光光束对晶圆片进行扫描退火时，令相邻的两扫描行相互重叠补偿，可避免传统逐行扫描过程中，行与行之间的过扫描和欠扫描现象，同时并不增加整机系统的实现难度和实现成本。
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公开(公告)号：CN102169810B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010621834.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法。所述真空激光处理装置包括真空工艺腔体，顶杆片托机构，真空系统及晶圆片的送取机构，激光辐照处理及冷却处理装置，本发明既能够灵活应对不同工艺加工需求，又充分照顾到了激光处理的光作用特点。采用本发明真空激光处理腔，本身可执行激光退火或者激光再结晶处理；可执行薄膜的激光辅助沉积处理；当外部提供可移动式的灯光或者红外加热源的功率足够时，也可执行薄外延的工艺处理。极大地提高了反应腔的实际应用价值。所述工艺腔除内部提供一定真空度的反应环境之外，侧壁由于通冷却液，成为“冷壁式”的反应腔，该特点尤其有利于薄膜沉积或者外延类的应用。
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公开(公告)号：CN102163540B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010621831.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的涉及半导体超浅结制造中的一种用于深紫外激光退火的三片式加热片台扫描装置。该加热加热片台扫描装置采用A加热片台、B加热片台和C加热片台连接成品字型加热片台，旋转托盘放置在该品字型加热片台上，该加热片台扫描装置可以沿X和Y方向做匀速或步进式移动，当对C加热片台上的圆片实现激光退火扫描时，A、B加热片台上的圆片被预加热。从而减少了圆片达到热平衡状态的等待时间。圆片是通过一个可旋转的托盘依次在A、B、C三个加热片台上逆时针切换，减少了圆片转移过程中的温度分布变化，提高了设备利用率。
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