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公开(公告)号：CN109816075A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910123285.0
申请日：2019-02-19
Applicant: 浙江大学 , 杭州潮盛科技有限公司
IPC: G06K19/02 , G06K19/077 , G06K7/10
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌薄膜晶体管的防冲突低功耗RFID标签，不再使用传统硅基CMOS晶体管，而是采用氧化锌薄膜晶体管（ZnO TFTs）作为主体进行设计实现；采用独特的复用计数器设计思想，减少硬件资源消耗并同时减少交互数据位宽，缩短交互时间；采用休眠调控思想，降低非工作状态下的芯片功耗；同时该标签具备专用的防冲突算法，通过硬件电路实现，配合阅读器可实现同时对多标签进行识别，极具实用价值。
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公开(公告)号：CN108258113A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810114114.7
申请日：2018-02-05
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，自上而下依次为衬底、底电极、阻变层、顶电极，其特征在于，所述阻变存储器还包括导电氧化物薄膜，设置于底电极与阻变层之间、顶电极与阻变层之间、或同时设置于底电极与阻变层之间和顶电极与阻变层之间，通过改变导电氧化物薄膜的厚度和氧空位的含量实现对阻变存储器的激活电压和阻止比的调控。该阻变存储器提高了阻变存储器的稳定性，且可以调控阻变存储器的阻变性能。
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公开(公告)号：CN105867678A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610168813.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有指纹识别功能的全透明触控屏，包括兼具有指纹识别功能和触控功能的传感电路层，以及将传感电路层夹在中间的第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层的厚度小于300μm，并以第一绝缘层作为触控层。本发明采用双绝缘层结构，降低了触控屏触摸面的厚度，增大了感应电容，进而实现了触控屏的指纹识别。
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公开(公告)号：CN103353819B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310285738.2
申请日：2013-07-05
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F3/044
Abstract: 本发明公开了一种具有高精度手写笔输入功能的自电容多点触摸屏，该自电容多点触摸屏由下至上依次包括透明绝缘衬底、下透明导电层、透明半导体层、栅绝缘层、上透明导电层和钝化绝缘层，下透明导电层包括若干条相互平行的触控感应线和自电容电极；上透明导电层包括若干条相互平行且与触控感应线垂直绝缘相交的行扫描线，行扫描线设有与其电连接的第一栅极；透明半导体层设有第一沟道区，位于第一沟道区两侧且与其接触的第一源极和第一漏极；透明半导体层与栅绝缘层和上透明导体层构成第一薄膜晶体管，分别以第一源极、第一漏极和第一栅极为源极、漏极和栅极。本发明解决了自电容多点触摸屏的“鬼点”问题，又有高精度手写笔输入功能。
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公开(公告)号：CN117521704A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311250876.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 浙江大学
IPC: G06K19/077 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种双模透明RFID标签及其制备方法，属于射频识别领域，所述双模透明RFID标签包括RFID芯片和双模天线，所述RFID芯片在透明玻璃上制备，所述RFID芯片与所述双模天线固定在透明玻璃表面，本发明小尺寸透明RFID标签制备方法为首先准备基板，即清洗该透明的康宁玻璃，然后通过光刻和溅射将源漏极溅射在玻璃上，再通过原子层沉积系统ALD沉积导电有源层ZnO和栅氧层Al2O3，接着利用磁控溅射设备溅射栅极，然后利用PECVD选择性注入氘离子生成电路结构，最后溅射铝或者银，用于制作天线，至此，整个双模透明RFID标签制备完成。本发明双模透明RFID标签成本低廉且具有更广泛复杂应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477623B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202010326983.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/118 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠的全透明微处理器，其部分或全部电路可执行指令控制及算术逻辑的功能，三维堆叠的全透明微处理器由多个不同功能的透明电路层直接堆叠构成，每层电路层均由透明薄膜晶体管构成，不同透明电路层之间通过绝缘层屏蔽，并通过开设通孔及沉积透明导电材料实现层间互连。所述的微处理器还包含有反相器，所述的反相器是由两个为增强型薄膜晶体管、两个耗尽型薄膜晶体管构成的反馈型反相器；本发明的微处理器采用三维堆叠的结构，相较传统CMOS技术和薄膜晶体管技术减少了75％的面积，降低了成本，提高了片内数据传输速度，所采用的反相器电路采用高增益、大噪声容限的设计，提高了电路性能。
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公开(公告)号：CN115621283A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211016708.7
申请日：2022-08-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管(CNT)与氧化锌(ZnO)两种半导体材料混合的TFT CMOS逻辑电路及其制备方法；CMOS电路结构由等数量的P/NMOS构成；所述的CMOS基于平面薄膜生长以及图形化技术工艺制作；所述的PMOS有源层为CNT，NMOS有源层为ZnO；所述的PMOS源漏电极为金，栅极为ITO，NMOS的三个电极均为ITO，PMOS和NMOS栅氧层均为Al2O3。本发明的TFT CMOS逻辑电路可以用于制备中小型规模的集成电路。本发明的混合材料CMOS逻辑电路成本较低，工艺简易，具有优秀的电气性能，相比传统增强型、耗尽型以及伪CMOS，具有功耗低，噪声容限大，增益高，结构简单，集成度高的优点。
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公开(公告)号：CN114897536A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111587296.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 浙江大学
IPC: G06Q30/00 , G06K19/077 , G06K17/00 , G06K7/10
Abstract: 本发明公开一种基于RFID标签和区块链的商品防伪溯源方法，属于防伪溯源技术领域，该方法包括以下步骤：设计RFID标签，每个标签内写入唯一识别码，将两个RFID标签的唯一识别码组合生成一件商品的防伪溯源码；建立数据库，将各商品的防伪溯源码录入到数据库中；配置区块链网络,运用Docker容器化技术部署到生产网络；建立防伪溯源平台，设计开发防伪溯源平台的SDK和web前端模块，web前端模块通过调用SDK的接口，实现了与区块链账本进行交互，当交易发生时，能够更新账本，并且可以根据RFID的唯一识别码对区块链账本交易进行查询。本方法保密性能好，溯源数据难以篡改伪造、溯源结果准确可靠，且方便操作和实施。
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公开(公告)号：CN111477623A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010326983.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/118 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠的全透明微处理器，其部分或全部电路可执行指令控制及算术逻辑的功能，三维堆叠的全透明微处理器由多个不同功能的透明电路层直接堆叠构成，每层电路层均由透明薄膜晶体管构成，不同透明电路层之间通过绝缘层屏蔽，并通过开设通孔及沉积透明导电材料实现层间互连。所述的微处理器还包含有反相器，所述的反相器是由两个为增强型薄膜晶体管、两个耗尽型薄膜晶体管构成的反馈型反相器；本发明的微处理器采用三维堆叠的结构，相较传统CMOS技术和薄膜晶体管技术减少了75％的面积，降低了成本，提高了片内数据传输速度，所采用的反相器电路采用高增益、大噪声容限的设计，提高了电路性能。
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公开(公告)号：CN110211958A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910340470.5
申请日：2019-04-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本发明涉及一种基于TFT的具有大存储窗口的透明闪存及其制造方法，该闪存是一种基于金属氧化物TFT的浮栅结构闪存器件，该闪存器件包括电极、有源层、第一栅氧层、浮栅层、保护层、第二栅氧层。其中，有源层、第一栅氧层、浮栅层、保护层、第二栅氧层均由透明金属氧化物薄膜制得，浮栅层采用ZnO薄膜制备得到。本发明的基于TFT的具有大存储窗口的透明闪存成本较低，存储窗口较大，相比传统多晶硅材料闪存具有更优秀的存储性能。
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