一种低热膨胀材料Fe2W3O12及其固相烧结方法

    公开(公告)号:CN105198001A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510744103.3

    申请日:2015-11-05

    Applicant: 河南大学

    CPC classification number: C01G49/00 C01P2002/72

    Abstract: 本发明属于无机非金属材料技术领域,特别公开了一种低热膨胀材料Fe2W3O12及其固相烧结方法。以Fe2O3和WO3为原料,MoO3为催化剂,按目标产物Fe2W3O12中化学计量摩尔比Fe:W=2:3称取原料,研磨混合均匀后,直接或压片后1000~1020℃烧结合成5~8h得到目标产物。本发明采用MoO3为催化剂,固相法制备出低热膨胀材料Fe2W3O12,工艺简单,低成本,适合于工业化生产。

    一种高熵低热膨胀陶瓷材料及其烧结合成方法

    公开(公告)号:CN113149646A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110434228.1

    申请日:2021-04-22

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高熵低热膨胀陶瓷材料及其烧结合成方法,属于无机非金属材料领域,以Fe2O3、Co2O3、Ni2O3、Al2O3、Cr2O3和MoO3、WO3粉末为原料,按目标产物(FeCoNiAlCr)0.4Mo1.5W1.5O12中化学计量摩尔比Fe:Co:Ni:Al:Cr:Mo:W=0.4:0.4:0.4:0.4:0.4:1.5:1.5称取原料,研磨混合均匀后,直接或压片后800~900℃烧结合成2~5 h得到目标产物。本发明采用固相法制备出高熵低热膨胀陶瓷材料(FeCoNiAlCr)0.4Mo1.5W1.5O12,工艺简单,成本较低,适合于工业化生产。

    一种钨酸铬的烧结合成方法

    公开(公告)号:CN109627001B

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN201910066508.4

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 一种Cr2W3O12的烧结合成方法,属于无机非金属材料技术领域,以Cr2O3和WO3为原料,Zn(CH3COO)2·2H2O为催化剂,具体过程如下:将原料Cr2O3和WO3按化学计量摩尔比1:3称取,再加入过量部分的WO3、催化剂Zn(CH3COO)2·2H2O,研磨混合均匀后,直接或压片后1000~1300℃烧结合成1~5 h得目标产物Cr2W3O12。本发明的有益效果:本发明采用以Cr2O3和WO3为原料,Zn(CH3COO)2·2H2O为催化剂,制备出新型陶瓷Cr2W3O12;本发明采用固相法烧结,工艺简单,低成本,适合于工业化生产。

    一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN107706231B

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201710988060.2

    申请日:2017-10-21

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管,包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极,所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜,所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜,一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法,包括选择重掺杂硅衬底或ITO导电玻璃为衬底,同时作为栅电极;采用磁控溅射法在衬底上制备绝缘层,所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜;采用磁控溅射在绝缘层上制备有源层,所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜;采用热蒸发镀膜法在有源层上制备金属Al薄膜作为源漏电极。本发明采用掺杂易与氧空位结合的硼(B)或硅(Si),减少绝缘层和有源层界面处的氧空位,提高薄膜晶体管的稳定性,从而提高器件的稳定性和可靠性。

    金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN106252278B

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201610824125.5

    申请日:2016-09-14

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法,主要步骤包括:提供所述金属氧化物薄膜晶体管阵列的各功能层前驱体溶液,采用喷雾热解法结合图案化的掩膜板,在衬底上沉积得到所述金属氧化物薄膜晶体管阵列的各功能层,所述功能层包括栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏电极。本发明实现了金属晶体管阵列中器件之间的有效隔离,且所制备的金属氧化物薄膜晶体管阵列具有良好的电学性质。本发明不仅避开了高成本真空薄膜制备工艺,同时也避免了光刻剥离等复杂的薄膜图案化过程,具有制备工艺简单、成本低廉、适合工业化生产等优势,在大面积电子电路制造方面有广阔的应用前景。

    p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN105977165B

    公开(公告)日:2018-07-13

    申请号:CN201610338044.4

    申请日:2016-05-20

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,包括以强氧化性的硝酸铜为溶质,以乙酰丙酮、甘氨酸、尿素或柠檬酸为络合剂配置前驱体溶液;然后利用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理;最后在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。该方法制备过程中会自主释放出大量的热能,使缩合化反应和致密化过程在较低的温度下和较短的时间内发生从而制得电学性能稳定的p型氧化铜薄膜,该方法工艺简单、原料易得。

    一种新型低/无吸水性负热膨胀陶瓷Y2Mo3O12及其固相烧结合成方法

    公开(公告)号:CN104909749A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201510352978.9

    申请日:2015-06-24

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 一种新型低/无吸水性负热膨胀陶瓷Y2Mo3O12及其固相烧结合成方法,属于无机非金属材料技术领域,该陶瓷以Y2O3、MoO3和尿素为原料,采用固相烧结合成方法制得。本发明的有益效果:1.本发明将尿素高温分解结合到Y2Mo3O12的烧结过程中,减少以致避免在降温过程中水分进入,减少甚至彻底消除吸水性,同时获得从室温开始的负热膨胀性能。2.本发明采用固相法烧结,工艺简单,低成本,适合于工业化生产。

    一种高熵近零膨胀钒酸盐陶瓷材料及其烧结合成方法

    公开(公告)号:CN114315351A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210079174.6

    申请日:2022-01-24

    Applicant: 河南大学

    Abstract: 本发明公开一种高熵近零膨胀钒酸盐陶瓷材料及其烧结合成方法,属于无机非金属材料技术领域,以LiNO3、Fe2O3、Mg(OH)2、ZnO、CuO、NH4VO3为原料,按目标产物(LiFeMgZn)0.15Cu1.4V2O7中化学计量摩尔比称取原料,研磨混合均匀后,直接或压片后600~750℃烧结合成3~5 h得到目标产物。本发明采用四种不同离子去部分替代Cu2V2O7中Cu2+离子,固相法制备出近零热膨胀材料(LiFeMgZn)0.15Cu1.4V2O7,工艺简单,低成本,适合于工业化生产。

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