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公开(公告)号：CN118577973A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411052288.7
申请日：2024-08-02
Applicant: 江苏通用半导体有限公司
IPC: B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/073 , B23K26/70 , B65G47/90 , B65G47/74
Abstract: 本发明公开了一种SiC晶锭剥离装置及剥离方法，SiC晶锭剥离装置包括机架、设置在机架上的中转机构、横梁、旋转取料机构、激光平台以及设置在横梁下方的安装平台。激光平台包括激光发生器、扩束模块、用于对扩束模块的光速进行功率调整的功率调整模块、用于对功率调整模块处理后的光束进行调整线偏的偏振调制模块、用于对偏振调制模块处理后的光束进行反射的一号反射镜模块、用于对一号反射镜模块反射后的光束进行整形的光束整形模块、4f光学系统、用于将光束整形模块中处理后的光束折射至4f光学系统的二号反光镜模块、用于对二号反光镜模块进行处理后的光束进行聚焦的聚焦物镜。优点：能够实现对晶锭的快速转移，有效提高晶锭激光切割的效率。
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