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公开(公告)号:CN105884350B
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201610218671.4
申请日:2016-04-08
Applicant: 江苏大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种锆钛酸钡钙无铅压电陶瓷材料。配方组成包括:(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O391~98wt.%,BiFeO30.1~7.0wt.%,Bi2WO60.01~1wt.%,Ba(Yb1/2Nb1/2)O30.1~4wt.%,Co2O30.01~1.8wt.%;其中(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O3、它采用压电陶瓷普通化学原料,制备得到无铅、无镉的高压电性能的无铅压电陶瓷,还能大大降低压电陶瓷的烧结温度,适合于制备压电陶瓷传感器,能大大降低压电陶瓷的成本。
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公开(公告)号:CN106587989A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611004597.2
申请日:2016-11-15
Applicant: 江苏大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种高介电性能晶界层陶瓷电容器介质。介质配方组成,按照重量百分比计算:Ba(Ti0.9Sn0.1)O3 88‑96%,Ba(Fe1/2Nb1/2)O30.1‑3%,Dy2O3 0.1‑4%,SiO2 0.1‑2.0%,Al2O30.1‑2.5%,MnNb2O60.03‑4.0%,SiO2‑Li2O‑B2O3玻璃粉(SLB)0.1‑2.0%,CuO0.01‑3%。本介质的介电常数高,为100000以上;耐电压高,直流耐电压可达8kV/mm以上;介质损耗小,小于1%;本介质的介电常数高,能实现陶瓷电容器的小型化和大容量,同样能降低成本。
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公开(公告)号:CN106565238A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201611005233.6
申请日:2016-11-16
Applicant: 江苏大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/626 , C03C12/00 , H01G4/12
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种低温烧结高压陶瓷电容器介质,介质配方组成,按照重量百分比计算:按照重量百分比:BaTiO360‑91%,SrTiO31‑13%,Li2ZrO3 2‑15%,Nb2O5 0.05‑1%,ZnO 0.1‑1.5%,Co2O3 0.03‑1.0%,ZnB2O4玻璃粉0.5‑6%,Bi2TiSiO7 0.5‑5%。本介质的介电常数较高,为3820左右;耐电压高,直流耐电压可达15kV/mm以上、7.2kV/mm(交流电压,AC)以上;介质损耗小,小于1.3%。本介质的介电常数较高,能实现陶瓷电容器的小型化和大容量,同样能降低成本。
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公开(公告)号:CN105777109A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610219076.2
申请日:2016-04-08
Applicant: 江苏大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/462 , C04B35/64 , C04B2235/3224 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/326 , C04B2235/3268 , C04B2235/365 , H01G4/1218
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种低温烧结、巨介、电容温度变化率小的陶瓷电容器介质。配方组成包括:CaCu3Ti4O1288~96wt.%,(Ba0.65Sr0.35)TiO30.01~7.0wt.%,Bi2WO60.01~6wt.%,Nd2O30.01~0.6wt.%,SiO2?Li2O?B2O3玻璃粉(ZLB)0.1~4wt.%,BiMnO30.01~0.5wt.%,(Li1/2Bi1/2)TiO30.5~4wt.%。它采用电容器陶瓷普通化学原料,制备得到无铅、无镉的巨介、电容温度变化率小的陶瓷电容器介质,还能大大降低电容器陶瓷的烧结温度。
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公开(公告)号:CN104844196A
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201510167870.2
申请日:2015-04-10
Applicant: 江苏大学
IPC: C04B35/472 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种高居里温度PTC热敏陶瓷材料,其特征在于其配方组份按照摩尔百分比计算为:Ba0.398Pb0.6La0.002TiO3 92~99%,BN 0.1~4.0%,Bi2O3 0.01~2.8%,MnCO3 0.01~1.5%,CaTiSiO5 0.5~2%,SiO2 0.01~2.5%,LaCrZrSiO7 0.02~1.5%;其中Ba0.398Pb0.6La0.002TiO3、CaTiSiO5、LaCrZrSiO7分别采用常规化学原料以固相法合成。本发明的高居里温度PTC热敏陶瓷材料不仅烧结温度低、居里温度高而且PTC热敏性能好。
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公开(公告)号:CN103435344B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201310349033.2
申请日:2013-08-13
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/491 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种高频陶瓷滤波器用压电陶瓷材料。所述压电陶瓷的组成为:xBa(Sc1/2Nb1/2)O3-mLa(Mg1/2Ti1/2)O3-yPb(Ti0.50Zr0.50)O3+0.01~0.6wt.%MnO2+0.01~0.6wt.%LiNbO3;其中,0.01≤x≤0.1mol,0.01≤m≤0.1mol,0.8≤y≤0.98mol,x+m+y=1。所制备的压电陶瓷的介电常数约为1500左右,机械品质因素为2300左右,径向机电耦合系数为0.70左右,谐振频率温度系数小于0.01%(-55~+85℃),谐振频率时间稳定性好,其变化率小于0.005%(老化200小时),介质损耗小于0.03%;使用过程中性能稳定性好,安全性高。
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公开(公告)号:CN103408301B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201310303560.X
申请日:2013-07-19
Applicant: 江苏大学
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种超高压陶瓷电容器介质及其制备方法。其配方组成按照重量百分比计算为:BaTiO3 55-90%, SrTiO3 2-25%,MgZr0.5Ti0.5O3 2-15%,MgSnO3 0.05-10%,CeO2 0.03-1.0%,ZnO 0.1-1.5%,MnO2 0.03-1.0%。本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法,利用电容器陶瓷普通化学原料,制备得到无铅、无镉的超高压陶瓷电容器介质,还能降低电容器陶瓷的烧结温度,该介质适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器,能大大降低陶瓷电容器的成本,同时能提高耐电压以扩大陶瓷电容器的应用范围,并且在制备和使用过程中不污染环境。
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公开(公告)号:CN103524129B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201310462475.8
申请日:2013-10-08
Applicant: 江苏大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种超声发射型换能器用压电陶瓷材料及其制备方法,其特征在于所述压电陶瓷的配方包括:xBiFeO3-y(Pb0.90Ba0.05Sr0.05)(Zr0.54Ti0.46)O3+0.01~0.6wt.%Cr2O3+0.01~0.7wt.%MnO2+0.01~0.9wt.%Fe2O3+0.01~6wt.%(0.15B2O3-0.125Bi2O3-0.45CdO)玻璃粉;其中,0.005≤x≤0.2mol,x+y=1;其中BiFeO3、(Pb0.90Ba0.05Sr0.05)(Zr0.54Ti0.46)O3、BBC玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。本发明采用常规的固相法压电陶瓷的制备方法,利用普通化学原料,制备得到高稳定高压电性能压电陶瓷,该压电陶瓷适合于制备超声发射型换能器。
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公开(公告)号:CN103435346B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201310373683.0
申请日:2013-08-26
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/493
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种超声接收型换能器用压电陶瓷材料。所述压电陶瓷的组成为xPb(Fe1/2Ta1/2)O3-mPb(Yb1/2Nb1/2)O3-y(Pb0.90Ba0.05Sr0.05)(Zr0.54Ti0.46)O3+0.01~0.6wt.%U2O3+0.01~0.6wt.%LiNbO3+0.01~0.9wt.%La2O3;其中,0.01≤x≤0.2mol,0.01≤m≤0.2mol,0.6≤y≤0.98mol,x+m+y=1。所制备的压电陶瓷的介电常数约为3500左右,机械品质因素(Qm)小于等于80,径向机电耦合系数(Kp)为0.75左右,压电应变常数(d33)大于等于480pC/N,谐振频率时间稳定性好,其变化率(tfr)小于0.006%(老化200小时),介质损耗(tanδ)小于1.0%;使用过程中性能稳定性好,安全性高。
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公开(公告)号:CN103508732B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201310463141.2
申请日:2013-10-08
Applicant: 江苏大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及无机非金属材料技术领域,特指一种低温度系数晶界层陶瓷电容器介质及其制备方法,介质配方组成包括(重量百分比):SrTiO388-96%,LiNbO30.1-4%,Dy2O30.05-4%,SiO2-B2O3-Li2O玻璃粉0.03-3.0%,CuO0.1-4%,SiO20.01~1%,MnO20.03-2.0%;其中SrTiO3、LiNbO3、SiO2-B2O3-Li2O玻璃粉分别是采用常规的化学原料以固相法合成。本发明采用常规的陶瓷电容器介质制备方法和一次烧结工艺方法,利用电容器陶瓷普通化学原料,制备得到无铅、无镉的低温度系数晶界层陶瓷电容器介质,还能降低电容器陶瓷的烧结温度,该介质适合于制备单片陶瓷电容器和单层片式陶瓷电容器。
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