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公开(公告)号:CN105002349B
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201510426730.2
申请日:2015-07-21
Applicant: 江苏大学
IPC: C21D10/00
Abstract: 本发明涉及到激光表面冲击强化技术,是一种变光斑多层交错激光冲击均匀强化叶片的方法。利用激光冲击强化过程中材料的塑形变形以及晶粒细化的性质,使用相邻光斑紧挨不搭接的方式,进行多次变光斑的层间交错冲击,第一层大光斑主要用于激光冲击产生较深残余应力层,第二和第三层交错冲击用于消除光斑边界效应,减少加工表面的粗糙度。该方法能获得均匀强化的较深残余应力层,实现金属工件表面和深度强化的一致性,提高金属工件表层机械性能,并且加工效率高。该发明可用于汽轮机低压过渡区叶片、燃气轮机叶片、飞机涡轮等叶片类零件边缘均匀强化处理。
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公开(公告)号:CN105002349A
公开(公告)日:2015-10-28
申请号:CN201510426730.2
申请日:2015-07-21
Applicant: 江苏大学
IPC: C21D10/00
Abstract: 本发明涉及到激光表面冲击强化技术,是一种变光斑多层交错激光冲击均匀强化叶片的方法。利用激光冲击强化过程中材料的塑形变形以及晶粒细化的性质,使用相邻光斑紧挨不搭接的方式,进行多次变光斑的层间交错冲击,第一层大光斑主要用于激光冲击产生较深残余应力层,第二和第三层交错冲击用于消除光斑边界效应,减少加工表面的粗糙度。该方法能获得均匀强化的较深残余应力层,实现金属工件表面和深度强化的一致性,提高金属工件表层机械性能,并且加工效率高。该发明可用于汽轮机低压过渡区叶片、燃气轮机叶片、飞机涡轮等叶片类零件边缘均匀强化处理。
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公开(公告)号:CN103320579B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201310224538.6
申请日:2013-06-07
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种激光冲击飞机涡轮叶片的方法与装置,首先采用凹模与柔性垫片支撑飞机涡轮叶片背面,其次采用测厚装置测量飞机涡轮叶片各点对应的厚度,再次根据叶片材料特性、厚度和激光冲击强化参数的对应关系,确定飞机涡轮叶片各点所需的激光工艺参数,最后根据上述飞机涡轮叶片各点激光工艺参数实现对飞机涡轮叶片整个表面激光冲击强化。实施该方法的装置包括高功率脉冲激光器,飞机涡轮叶片,柔性垫片,凹模,三轴数控工作台,计算机控制系统,测厚装置。本发明可以使飞机涡轮叶片不发生变形与破裂,并获得均匀的残余压应力分布,适应于复杂曲面和厚度不均匀的飞机涡轮叶片强化,也可以拓展到汽轮机、水轮机叶片的激光冲击强化。
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公开(公告)号:CN103305665A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201310224537.1
申请日:2013-06-07
Applicant: 江苏大学
Abstract: 一种无吸收层激光温冲击强化焊缝方法,涉及特种加工领域。本发明首先先预热焊接件基体,利用温度升高加快零件基体位错运动,将基体温度提高到动态应变时效温度后,采用高能纳秒激光束直接冲击焊缝处。当激光脉冲照射在目标金属上时,金属表面吸收激光能量蒸发、膨胀形成高温高压的等离子体,约束层限制住等离子体,产生高强冲击波,其强度有几个到数十个GPa,远远超过了金属和合金的屈服强度,使焊缝区域金属或合金材料产生严重塑性变形,使焊缝处表层晶粒细化甚至纳米化,并在冲击区域诱导高幅残余压应力,从而提高焊缝处的抗腐蚀能力和高温疲劳寿命。本发明适用于无法涂吸收层的焊接件强化和延寿领域,如管道内壁焊接处的表面强化及提高其机械性能;这是一种新的对焊缝的强化处理方法,具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN103307198B
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201310264001.2
申请日:2013-06-28
Applicant: 江苏大学
IPC: F16F15/023
Abstract: 本发明公开了一种泵池固有频率自适应方法及装置,根据不同行型号潜液泵转速,合理选择一定密度和体积的液体向调频管中注入,使得同一种泵池装置的固有频率可调节,避免泵池和潜液泵发生共振,减小泵池振动幅度,提高了泵池的安全可靠性和使用寿命以满足不同型号潜液泵转速的需求。本发明可应用于与潜液泵配套使用的泵池装置。
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公开(公告)号:CN102989720A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201210391284.2
申请日:2012-10-16
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及一种激光辅助清除硅晶片等基体表面纳米颗粒的方法和装置,特指一种利用激光聚焦将空气介电击穿形成急剧膨胀的等离子体,等离子体周围空气被快速压缩成为较强的冲击波阵面而直接作用于基体表面使纳米颗粒受到力或滚动力矩的作用与晶片或光掩模等基体分离的方法和装置,该方法和装置尤其适用于去除基体表面100nm及更小尺寸的颗粒。
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