过电流保护电路及开关电路

    公开(公告)号:CN112640279A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202080004940.1

    申请日:2020-01-30

    Abstract: 过电流保护电路用于根据控制电压来控制接通断开的开关元件,该过电流保护电路具备:第一晶体管,为PNP型双极型晶体管,且具有与控制电压连接的发射极;和第二晶体管,为NPN型双极型晶体管,且具有与第一晶体管的集电极连接的基极、与第一晶体管的基极连接且被上拉到规定的上拉电压的集电极、及接地的发射极,在过电流保护电路中,当控制电压超过规定的第一阈值电压时,第一晶体管及第二晶体管被接通,通过上拉电压的下降而使所述控制电压下降,而开始将半导体开关断开的保护动作。

    逆变器电路和电力转换装置

    公开(公告)号:CN107646166A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201680022465.4

    申请日:2016-03-08

    Abstract: 提供即使在使用了SJ-MOSFET等寄生电容较大的开关元件的情况下,也能够抑制浪涌电压的逆变器电路和电力转换装置。电力转换装置(1)具有的逆变器电路(10)具有全桥逆变器部(11)和短接部(12),短接部(12)具有开关元件(Q5、Q6)以及与开关元件(Q5、Q6)连接的钳位元件(D3、D4)。并且,通过钳位元件(D3、D4),能够抑制向开关元件(Q5、Q6)施加浪涌电压等过大的电压。

    过电流保护电路和开关电路
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115885474A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202180050358.3

    申请日:2021-08-17

    Inventor: 岩井聪 末木葵

    Abstract: 过电流保护电路具备:第一晶体管,其具有与控制电压连接的发射极;以及第二晶体管,其具有与第一晶体管的集电极连接的基极、与第一晶体管的基极连接且被上拉到规定电压的集电极以及接地的发射极。控制电压超过规定的第一阈值电压时,过电流保护电路开始以下保护工作:第一和第二晶体管导通,上拉电压降低使得控制电压降低,以断开开关元件,过电流保护电路具备:第一二极管,其连接于控制电压和第一晶体管的发射极之间;以及元件电路,其连接于第一晶体管的发射极和基极之间。元件电路是第二二极管、第一电阻以及第二二极管和第一电阻的并联电路中的任意一个。

    电力转换装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112368926A

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201980045560.X

    申请日:2019-03-11

    Abstract: 电力转换装置具有:至少一个开关电路,其通过以规定的开关频率对直流电压进行开关而产生交流电压;以及滤波电路,其对来自开关电路的交流电压进行低通滤波。滤波电路具有:第一旁通电容器,其对来自开关电路的交流电压中的第一频率成分的噪声进行旁通;第二旁通电容器,其对来自开关电路的交流电压中的低于第一频率成分的第二频率成分的噪声进行旁通;以及至少一个电感器,其插入于第一旁通电容器与第二旁通电容器之间。电感器的电感被设定为使得滤波电路的谐振频率因电感器的插入而变得比开关频率小。

    电力变换装置
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112385132B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN201980045623.1

    申请日:2019-03-11

    Abstract: 电力变换装置具备:至少一个开关电路,通过按规定的开关频率对直流电压进行开关,来产生交流电压;以及滤波电路,将来自开关电路的交流电压进行低通滤波。滤波电路具备:第一旁路电容器,将来自开关电路的交流电压中的第一频率分量的噪声进行旁路分流;第二旁路电容器,将来自开关电路的交流电压中的比第一频率分量低的第二频率分量的噪声进行旁路分流;以及至少一个电感器,插入于第一旁路电容器与第二旁路电容器之间,电感器的电感以如下方式设定:基于滤波电路的共振频率因电感器的插入而小于开关频率的多倍。

    过电流保护电路及开关电路

    公开(公告)号:CN112640279B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202080004940.1

    申请日:2020-01-30

    Abstract: 过电流保护电路用于根据控制电压来控制接通断开的开关元件,该过电流保护电路具备:第一晶体管,为PNP型双极型晶体管,且具有与控制电压连接的发射极;和第二晶体管,为NPN型双极型晶体管,且具有与第一晶体管的集电极连接的基极、与第一晶体管的基极连接且被上拉到规定的上拉电压的集电极、及接地的发射极,在过电流保护电路中,当控制电压超过规定的第一阈值电压时,第一晶体管及第二晶体管被接通,通过上拉电压的下降而使所述控制电压下降,而开始将半导体开关断开的保护动作。

    过流保护电路及开关电路
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114303309A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN201980099664.9

    申请日:2019-09-12

    Inventor: 岩井聪

    Abstract: 一种过流保护电路,用于保护流向基于驱动信号而控制开闭的开关元件的过电流,具备:第一晶体管,为N沟道FET,具有连接至所述开关元件的控制端子的漏极、和接地的源极;第二晶体管,为PNP型双极晶体管,具有连接至所述开关元件的控制端子的发射极、连接至所述第一晶体管的栅极且经由第一电容器接地的集电极、及被上拉至规定的上拉电压的基极;以及接地电路,与所述第一电容器并联。

    开关元件的驱动电路和开关电路

    公开(公告)号:CN112585854A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN201980054104.1

    申请日:2019-03-13

    Abstract: 目的在于提供一种在开关元件的驱动电路中降低开关元件的栅极浪涌的技术。开关元件(1)的栅极端子经由并联连接的电容器(11)和电阻(13)与驱动电路(12)的输出端(Vout)连接,开关元件(1)的源极端子经由并联连接的电容器(14)和齐纳二极管(15)与驱动电路(12)连接。齐纳二极管(15)的阳极端子与开关元件(1)的源极端子连接,齐纳二极管的阴极端子与驱动电路(12)连接。

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