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公开(公告)号：CN109962638B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201811324078.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H02M7/537
Abstract: 本发明提供电力转换装置，能够适应于实际的负载的特性(阻抗)而实现适当的控制。电力转换装置(100)具有将来自直流电源的直流电转换成交流电的逆变器部(3)、和生成用于控制逆变器部的控制信号的控制部(10)。控制部(10)包括：阻抗估计部(14)，其向负载(6)注入干扰信号，并根据来自被注入了干扰信号的负载的电压信号，求出负载的阻抗的估计值；阻抗补偿器部(13)，其根据阻抗的估计值而被设定控制参数，并按照控制参数校正输出电流信号；指令值部(12)，其输出表示控制目标值的指令值；以及控制补偿器部(11)，其根据来自指令值部的指令值和来自阻抗补偿器部的电流信号生成控制信号。
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公开(公告)号：CN105008877A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010005.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 红外线传感器的制造方法包括下述工序：在第1区域上形成温差电堆支撑层的工序；在其上表面上形成温差电堆(24)的工序；然后，在第2区域上形成电路元件的工序；以覆盖所述第1和第2区域的方式形成上部层(41)的工序；将上部层(41)向下挖到中途的工序；通过进一步将上部层(41)向下挖而形成蚀刻孔(38)的工序；以及经过蚀刻孔(38)对半导体基板(1)的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和温差电堆(24)从半导体基板(1)悬起，由此形成传感器部(2)的工序。传感器部(2)的上表面(2u)位于比所述第2区域中的上部层(41u)的上表面低的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112640279B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202080004940.1
申请日：2020-01-30
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 过电流保护电路用于根据控制电压来控制接通断开的开关元件，该过电流保护电路具备：第一晶体管，为PNP型双极型晶体管，且具有与控制电压连接的发射极；和第二晶体管，为NPN型双极型晶体管，且具有与第一晶体管的集电极连接的基极、与第一晶体管的基极连接且被上拉到规定的上拉电压的集电极、及接地的发射极，在过电流保护电路中，当控制电压超过规定的第一阈值电压时，第一晶体管及第二晶体管被接通，通过上拉电压的下降而使所述控制电压下降，而开始将半导体开关断开的保护动作。
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公开(公告)号：CN112585854A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054104.1
申请日：2019-03-13
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H02M1/08 , H03K17/16 , H03K17/687
Abstract: 目的在于提供一种在开关元件的驱动电路中降低开关元件的栅极浪涌的技术。开关元件(1)的栅极端子经由并联连接的电容器(11)和电阻(13)与驱动电路(12)的输出端(Vout)连接，开关元件(1)的源极端子经由并联连接的电容器(14)和齐纳二极管(15)与驱动电路(12)连接。齐纳二极管(15)的阳极端子与开关元件(1)的源极端子连接，齐纳二极管的阴极端子与驱动电路(12)连接。
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公开(公告)号：CN105008876B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480009824.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: G01J5/12 , G01J5/023 , G01J5/046 , G01J2005/123
Abstract: 红外线传感器(101)具有：半导体基板，在其上表面具有凹部；上部层，其形成于所述半导体基板的上侧，具有与所述凹部对应地开口的传感器开口部(3)；以及传感器部(2)，其以将传感器开口部(3)的内周的第1部位(61)和第2部位(62)之间连接起来的方式，在离开所述凹部的内表面的状态下呈S字形横穿传感器开口部(3)。传感器部(2)在真空中被密封。传感器部(2)的中央部(4)被配置为能够接受来自观测对象的红外线。传感器部(2)具有将中央部(4)与第1部位(61)及第2部位(62)之间的温度差变换为电信号的热电变换构造。
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公开(公告)号：CN105008877B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480010005.0
申请日：2014-02-18
Applicant: 欧姆龙株式会社
Abstract: 红外线传感器的制造方法包括下述工序：在第1区域上形成温差电堆支撑层的工序；在其上表面上形成温差电堆(24)的工序；然后，在第2区域上形成电路元件的工序；以覆盖所述第1和第2区域的方式形成上部层(41)的工序；将上部层(41)向下挖而形成蚀刻孔(38)的工序；以及经过蚀刻孔(38)对半导体基板(1)的一部分进行蚀刻而使所述温差电堆支撑层和温差电堆(24)从半导体基板(1)悬起，由此形成传感器部(2)的工序。传感器部(2)的上表面(2u)位于比所述第2区域中的上部层(41u)的上表面低的位置。(41)向下挖到中途的工序；通过进一步将上部层
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