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公开(公告)号：CN111555814A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010537774.3
申请日：2020-06-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/90
Abstract: 本发明公开一种光控的太赫兹波3比特编码器及编码方法，包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面；编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成；所有双圆结构呈周期性排列，所有方形结构呈周期性排列，且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本发明能对太赫兹波进行操控，并能实现3比特即八个状态的编码，与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应，作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本发明具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。
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公开(公告)号：CN110146946A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910489347.X
申请日：2019-06-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称性弯曲结构的太赫兹集成器件，包括衬底和水平设置在衬底上的金属薄膜，所述金属薄膜设置有三块，由位于中心的呈直线状的中心金属薄膜，和设置在中心金属薄膜两侧的侧部金属薄膜构成，所述侧部金属薄膜呈圆弧状，开口远离中心金属薄膜一侧设置，两块所述侧部金属薄膜的曲率圆圆心的连线与中心金属薄膜之间的夹角小于90度，所述中心金属薄膜和侧部金属薄膜的两侧壁上均设置有规则排列的锯齿结构。本发明的器件通用性较强，在不同波段下依然可以产生预设效果，无需改变设计好的几何结构，器件的适用范围还会扩展，可进行大部分太赫兹波段的研究。
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公开(公告)号：CN110401496B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910623913.1
申请日：2019-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本发明提出一种透射型太赫兹波2bit编码器件，包括：衬底；设置于衬底上且由周期性排列的多个结构单元组成的二维阵列；每个结构单元包括金属层；金属层上设置有镂空的第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽；第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽的中心依次连接形成一正四边形；在第一方形槽和第二方形槽均具有第一半导体块和第一缺口，第一环形槽和第二环形槽具有第二半导体块和第二缺口。本发明提出了适用于太赫兹通信领域的编码器件，很好的满足了太赫兹通信所需的要求，因为脉冲激光激发的载流子寿命极短，仅有数十个皮秒，使得编码的速度理论上限可达皮秒量级，目前方案的速度受限于高速数字微镜的编码速率。
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公开(公告)号：CN110445553B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910795829.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516
Abstract: 本发明提出一种电压控制的太赫兹2位编码器，包括：分别设置于所述方形衬底两侧的呈周期性排列的方形结构单元；所述方形结构单元包括金属结构和半导体结构；半导体结构包括呈圆柱体的P型半导体和呈圆柱体的N型半导体，N型半导体的底面与方形衬底贴合，P型半导体设置于所述N型半导体上，形成一呈圆形区域的PN结；金属结构包括贴合于方形衬底上的环形金属层、第一金属电极和第二金属电极，每个金属结构的第一金属电极相连，每个金属结构的第二金属电极相连。所述编码器与控制端组成编码系统，通过对每个金属电极进行独立的电压控制实现太赫兹波的两位编码功能。本发明可以具有编码速度快，操作简便和实用性强等优点，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112039603B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910475218.5
申请日：2019-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种保密传输系统、方法及芯片。加密时，太赫兹波发射源向太赫兹芯片上发射太赫兹波，太赫兹波经太赫兹芯片进行低频滤波后传输至太赫兹波接收器，实现信息加密；解密时，太赫兹波发射源向太赫兹芯片发射太赫兹波，激光发射源向太赫兹芯片发射激光，太赫兹波与激光经太赫兹芯片进行高频滤波后传输至太赫兹波接收器，实现信息解密。太赫兹芯片包括衬底以及衬底顶面的二维阵列，并附着有信息板；二维阵列由周期排列的单元结构组成。单元结构包括金属结构主体、金属结构上形成有凹槽，在凹槽中还设有关于金属结构中心线对称的金属块和半导体材料块。本申请利用了太赫兹芯片对太赫兹波进行带通滤波，实现了便捷的保密传输。
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公开(公告)号：CN114325898B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210034731.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器，包括衬底层、复合材料层、定位标志和透射相位控制结构。复合材料层和定位标志位于衬底层的上表面；透射相位控制结构位于复合材料层的上表面。透射相位控制结构为相位梯度超表面。入射太赫兹波经过本动态可调太赫兹波分束器被分为两束出射太赫兹波；在此过程中，通过外加激励让复合材料层的复合材料条从绝缘态转为高电导状态，以控制出射太赫兹波的波束强度；其中激发为高电导状态的复合材料条的条数与出射太赫兹波的波束强度呈反比。本发明能将一束太赫兹光分为两束太赫兹波，并能动态调节两束波束的强度和分束比。此外，本发明还具有工艺简单，调控方式可靠，功能丰富等特点。
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公开(公告)号：CN112713412B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011522736.7
申请日：2020-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于微热板精确温控系统的超材料吸波器。其特征是：包括硅基微热板1和VO2超材料吸波器2；硅基微热板1由接触电极3、4、5、6，承重梁7、8、9、10，一字梁11、12，腐蚀窗口13，加热电阻14，支撑膜15组成；VO2超材料吸波器2由金属底板层16，硅基底层17，VO2层18，金属内开口环19，金属外开口环20和硅基座21组成。本发明可用于温控超材料器件，例如超材料开关、超材料分束器、超材料滤波器、超材料调制器、超材料吸波器等，可广泛用于无线通信、传感、医学检测和诊断等领域。
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公开(公告)号：CN115425424A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211157764.2
申请日：2022-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供的是一种基于耦合效应实现波前调控的超表面器件。其特征是：所述的波前控制的超表面器件主要由若干个单元结构1周期排列组成，每个单元结构1包括连续的金属层面2、介电隔离层3、两个C形环金属谐振器4和5。本发明使用金属铝作为金属层面2和C形环金属谐振器4、5的材料，使用柔性材料作为介电隔离层3的材料。本发明以两个C形环金属谐振器各自的中心点为旋转中心进行旋转，通过改变其旋转角度来调节耦合效应，最终实现对输出同极化、交叉极化方向的电磁波波前振幅和相位的同时调控。本发明仅改变两个C形环金属谐振器的旋转角度来调整耦合效应，无需改变谐振器的结构尺寸，进一步丰富了超表面的设计自由度。
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公开(公告)号：CN114583460A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210145415.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及电磁超材料技术领域，具体涉及一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器，包括基底层、介质层、暗模谐振器和明模谐振器，介质层包括掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层，掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层由下至上依次堆叠于基底层和暗模谐振器之间，与其他结构实现及调节电磁诱导透明(EIT)而需要对每个结构单元单独设计参数的方法不同，可以在同一装置中实现动态调制，即通过外加电压控制氧化铟锡的介电常数从而控制整个结构的传输频谱，更易于实际应用。本发明有助于提高可调节电磁诱导透明效应的多样性和功能。
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