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公开(公告)号:CN101617265A
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200780051542.X
申请日:2007-11-06
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 片山崇
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133753 , G02F1/133555 , G02F2001/133761
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明实现能够抑制生产成本的上升且在反射区域和透过区域中进行同样的显示的液晶显示装置。反射区域中的液晶层的厚度为透过区域中的液晶层的厚度的90%以上且110%以下,反射区域中的液晶层所包含的液晶分子的预倾角比透过区域中液晶层所包含的液晶分子的预倾角大。
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公开(公告)号:CN102378938B
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN200980158500.5
申请日:2009-11-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337 , C08F2/46 , C08F20/00
CPC classification number: G02F1/133711 , G02F1/133788 , G02F2001/133715
Abstract: 本发明提供一种能够减少残影的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置,具有一对基板和夹持在上述一对基板间的液晶层,该液晶显示装置的特征在于:上述一对基板的至少一个具有取向膜和在该取向膜上的聚合物层,上述聚合物层通过聚合而形成,该聚合通过相对于聚合性单体在1摩尔%以下的聚合引发剂使聚合性单体开始反应。
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公开(公告)号:CN101779160B
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN200880102421.8
申请日:2008-08-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/139 , G02F1/133 , G02F1/1337 , G09G3/20 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/1395 , G09G2300/0491
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置的驱动方法及液晶显示装置,该液晶显示装置的驱动方法是,施加用于使液晶分子弯曲取向的转变电压(+25VDC),在整个面弯曲转变结束后,使向液晶层施加的电压从转变电压连续地下降至逆倾斜消除电压。
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公开(公告)号:CN101765802B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN200880101061.X
申请日:2008-08-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02F1/1395 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G2300/0491 , G09G2300/0876 , G09G2310/0245 , G09G2310/06 , G09G2310/067
Abstract: 本发明提供液晶显示装置的驱动方法和液晶显示装置。在本发明的液晶显示装置的驱动方法中,在停止施加用于使液晶分子弯曲取向的转移电压时,以使像素电极与共用电极的电位差大于像素电极与相邻于该像素电极的像素电极的电位差的方式,在弯曲转移结束时,对辅助电容电极施加额定电压。
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公开(公告)号:CN102317844A
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN201080007392.4
申请日:2010-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B5/30 , G02F1/1337 , G02F1/1343
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F1/133528 , G02F1/133711 , G02F1/133788
Abstract: 液晶显示装置(1)包括:第一基板(2);与第一基板(2)相对配置的第二基板(3);被夹持在第一基板(2)与第二基板(3)之间的液晶层(4);分别配置在第一基板(2)和第二基板(3)的与液晶层(4)相反的一侧的第一偏光板(5)和第二偏光板(6);和配置在第一基板(2)的液晶层(4)一侧的共用电极(7)和像素电极(9)。此外,利用在共用电极(7)与像素电极(9)之间产生的电场,控制液晶层(4)的液晶分子(4a)的取向。而且,在第二基板(3)的液晶层(4)一侧设置有与液晶层(4)接触的偏光层(13)。偏光层(13)具有单轴吸收各向异性,并且兼作用于限制液晶分子(4a)的取向方向的取向层。
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公开(公告)号:CN101617265B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200780051542.X
申请日:2007-11-06
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 片山崇
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133753 , G02F1/133555 , G02F2001/133761
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明实现能够抑制生产成本的上升且在反射区域和透过区域中进行同样的显示的液晶显示装置。反射区域中的液晶层的厚度为透过区域中的液晶层的厚度的90%以上且110%以下,反射区域中的液晶层所包含的液晶分子的预倾角比透过区域中液晶层所包含的液晶分子的预倾角大。
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公开(公告)号:CN101842741A
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200880113902.9
申请日:2008-07-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1343 , G02F1/139
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/133784
Abstract: 液晶显示面板(2)具有隔着液晶层(40)相对配置的TFT基板(20)和对置基板(30),液晶层(40)的液晶分子(41)在施加电场时,从初始状态向取向状态不同的图像显示状态进行取向转移。在TFT基板(20)和对置基板(30)中至少一个基板的被施加与基板面平行的横电场的区域,设置有液晶分子(41)反平行取向的区域(40B)。由此,能够提供一种液晶显示面板,其能够使全部的像素可靠地进行取向转移,并且能够快速进行液晶层的从初始状态向图像显示状态的取向转移。
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公开(公告)号:CN109792105A
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201780059335.2
申请日:2017-09-22
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的液晶单元具有:TFT基板,具有第一电介质基板、支撑于所述第一电介质基板上的多个TFT及与所述TFT电连接的多个贴片电极;缝隙电极,具有第二电介质基板、及支撑于所述第二电介质基板上的包含多个缝隙的缝隙电极;液晶层,其介于所述TFT基板与所述缝隙基板之间,所述TFT基板与所述缝隙基板以所述贴片电极侧与所述缝隙电极侧相互面对的方式配置;多个天线单元,其分别具有一个所述贴片电极、及以与该一个所述贴片电极对应的方式配置的包含至少一个缝隙的所述缝隙电极;取向膜,形成在所述TFT基板及所述缝隙基板此两者的所述液晶层侧的表面,由聚酰亚胺类树脂构成,相对介电常数为3.8以上。
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公开(公告)号:CN108700775A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201780004378.0
申请日:2017-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133621 , G02B6/0025 , G02B6/0026 , G02F1/133504 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/134363 , G02F2001/133548 , G02F2001/133614 , G02F2203/055 , H01L33/502
Abstract: 根据本发明的一个方面的波长转换基板(7),包括:第一基板(11),其具有光透射性;光调制部(12),其设置在第一基板(11)的一个表面上的第一基板(11)上,并根据入射光的偏振状态调制入射光谱。光调制部(12)包括:多个金属结构体(15),其周期性间隔地周期性地设置在第一基板(11)的一个表面上,且通过入射光表现等离子体共振;多个波长转换部(14),其至少部分地与所述金属结构体(15)相邻地设置,并且包括发射与入射光的波长范围不同的波长范围的光的波长转换材料(16)。
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公开(公告)号:CN102804036B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201180014784.8
申请日:2011-03-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1337 , G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G3/36
Abstract: 本发明的目的在于提供实现了显示品质的改善的液晶显示装置。本发明的实施方式的液晶显示装置(100)具有多个像素(P),各像素(P)具有子像素(SPa、SPb),子像素(SPa、SPb)分别由子像素电极(124a、124b)规定。在像素(P),在TFT(130a、130b)从断开(不导通)状态变化为导通状态后,子像素电极(124a)的平均电位从与TFT(130a、130b)为导通状态时被供给至源极配线(Ls)的源极信号的电压对应的电位发生变化,子像素电极(124b)的平均电位与TFT(130a、130b)为导通状态时被供给至源极配线(Ls)的源极信号的电压对应。
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