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公开(公告)号：CN110770863A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201880040742.3
申请日：2018-10-17
Applicant: 株式会社LG化学
Inventor： 徐东勋 , 尹锡炫 , 柳炳国
IPC: H01G11/34 , H01G11/86
Abstract: 本发明提供一种用于赝电容器的负极活性材料的制备方法。根据本发明，提供一种能够表现出高比电容和优异的输出特性的用于赝电容器的负极活性材料的制备方法。
