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公开(公告)号:CN104871258B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201380066868.5
申请日:2013-12-18
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: C23C14/34 , B32B2307/412 , B32B2307/702 , B32B2457/208 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H05K1/09 , H05K3/16 , H05K2201/0326 , H05K2201/10053 , H05K2203/1194
Abstract: 本发明提供带透明电极的基板及其制造方法,带透明电极的基板(100)在透明薄膜基板(10)上具备非晶透明电极层(20)。非晶透明电极层(20)在被施加了0.1V的偏压的情况下,具有50个/μm2以上的在加电压面的电流值为50nA以上且连续的面积为100nm2以上的区域。在一实施方式中,非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量大于8质量%且小于16质量%。在另一实施方式中,非晶透明电极层(20)的氧化锡的含量为6.5质量%~8质量%。本发明的带透明电极的基板能够通过短时间的加热实现透明电极层的结晶化。
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公开(公告)号:CN105874544A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201580003746.0
申请日:2015-02-03
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01B5/14 , G06F3/041 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0036 , C23C14/34 , C23C14/562 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B1/08
Abstract: 本发明涉及一种在透明膜基板上具有非晶质的透明电极层的透明导电膜。透明电极层由铟·锡复合氧化物构成,氧化锡的含量为3~12质量%,膜厚为15~30nm。透明电极层中,通过X射线光电子能谱测定求出的锡3d5/2的结合能ESn和铟3d5/2的结合能EIn在下述分析范围中满足下述(1)和(2)。分析范围:在包含40原子%以上铟的区域中,除去膜厚方向上的与透明电极层的表面的距离d为0~3nm的区域后的区域;(1)结合能ESn与EIn的结合能差ESn-EIn的最小值Emin与结合能差ESn-EIn的最大值Emax相比,存在于透明电极层的表面侧;(2)最大值Emax与最小值Emin之差Emax-Emin为0.1eV以上。
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