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公开(公告)号：CN113841211B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202080035634.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种电容器，其特征在于，具有：基板、形成于上述基板上的下部电极、形成于上述下部电极上的电介质膜、形成于上述电介质膜上的上部电极、形成于上述下部电极、上述电介质膜和上述上部电极上的具有贯通开口部的保护层、形成于上述贯通开口部内的凸状部、以及以覆盖上述贯通开口部和上述凸状部的方式形成的外部电极。
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公开(公告)号：CN113841230A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080037071.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H01G4/228 , H01G4/30 , H01G4/33
Abstract: 本发明提供一种电容器，其特征在于：具有基板、设置在上述基板上的下部电极、设置在上述下部电极上的电介质膜、设置在上述电介质膜上的上部电极、与上述下部电极连接的第1端子电极、以及与上述上部电极连接的第2端子电极，并且，上述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构；上述电介质膜具有导通孔，在上述导通孔内形成有上述第1端子电极，上述电介质膜的导通孔的宽度为上述第1端子电极的膜厚的2倍以下。
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公开(公告)号：CN110800098A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880042663.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
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公开(公告)号：CN109196609A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780028298.9
申请日：2017-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电容器具备：基板；下部电极，其形成在基板之上，并具有上表面、下表面、以及将该上表面与该下表面连接的端面；介电膜，其形成在下部电极之上；上部电极，其形成在介电膜之上；以及端子电极，其与上部电极连接，上述下部电极的上表面形成于上述下部电极的下表面的周缘的内侧的区域，端面的至少局部具有楔面形状。
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公开(公告)号：CN112041954B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201980028595.2
申请日：2019-04-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供电容器集合体，具有多个电容器(100)以及保持多个电容器(100)的保持体(300)。多个电容器(100)分别包含半导体基板、第一电极层、电介质层、第二电极层以及外部电极。多个电容器(100)包含第一电容器(100F)与第二电容器(100S)。第二电容器(100S)关于第一电极层、第二电极层以及外部电极的至少1个具有与第一电容器(100F)不同的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110959188A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201880048521.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
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公开(公告)号：CN117397030A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280033513.5
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明提供无源电子部件用的支承基板、无源电子部件、半导体装置、匹配电路以及滤波电路。无源电子部件用的支承基板(1)具备：半导体基板(10)、设置在半导体基板(10)上，相对于半导体基板(10)，结晶缺陷的密度高的电荷捕获层(11)、以及设置在电荷捕获层(11)上的绝缘层(21)。绝缘层(21)由硅氮化物构成，绝缘层(21)中含有的N相对于Si和N的总量的原子浓度比为45atom％以下。或者，绝缘层(21)包含设置在电荷捕获层(11)上的第一绝缘层(21A)和设置在第一绝缘层(21A)上的第二绝缘层(21B)，在第一绝缘层(21A)和第二绝缘层(21B)中内部的固定电荷的极性相反，第一绝缘层(21A)的厚度为0.5nm以上且3nm以下。
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公开(公告)号：CN117242538A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280032701.6
申请日：2022-05-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33
Abstract: 作为半导体装置的一个实施方式的电容器(1)具备：基板(10)；第一电极层(22)，其设置在基板(10)上；介电膜(23)，其设置在第一电极层(22)上；第二电极层(24)，其设置在介电膜(23)上；保护层(26)，其覆盖第一电极层(22)以及第二电极层(24)；以及外部电极(27)，其贯通保护层(26)，介电膜(23)由硅氮化物构成，介电膜(23)中含有的Si相对于Si与N的总量的原子浓度比为43atom％以上且70atom％以下。
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公开(公告)号：CN110959188B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201880048521.0
申请日：2018-07-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
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公开(公告)号：CN113841211A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080035634.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种电容器，其特征在于，具有：基板、形成于上述基板上的下部电极、形成于上述下部电极上的电介质膜、形成于上述电介质膜上的上部电极、形成于上述下部电极、上述电介质膜和上述上部电极上的具有贯通开口部的保护层、形成于上述贯通开口部内的凸状部、以及以覆盖上述贯通开口部和上述凸状部的方式形成的外部电极。
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