公开(公告)号：CN1866742B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610082444.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社次世代PDP开发中心

Inventor： 坂野顺一 ,  原贤志 ,  森睦宏

IPC: H03K17/687 ,  G09G3/28 ,  G09G3/20 ,  H01J17/49 ,  G09F9/313

CPC classification number: G09G3/296 ,  G09G2330/028 ,  Y10T307/461

Abstract: 本发明提供一种小型、低损耗、低成本的负载驱动电路、集成电路以及低成本的等离子显示器。在根据切换命令对向负载3提供的电压进行高低切换的负载驱动电路中的主IGBT 21的栅-阴极间，向触发器5的输出级n型MOS晶体管521的源-漏间提供电压。为了保持该电压，上述触发器5的电源由主电源1或其被连接到固定电位点HVC的电荷泵电源电路8来提供。另外，为了保持电源HVA的电位比主电源1的正极HVC的电位高，设置了放电防止电路7或放电防止元件91、92。

公开(公告)号：CN110710095A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037669.4

申请日：2018-03-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村嘉伸 ,  谷和树 ,  小川贵史 ,  铃木弘 ,  坂野顺一

IPC: H02M7/48

Abstract: 本发明提供一种功率转换装置、电动机控制系统和功率转换装置的诊断方法，其精度良好地检测功率模块的温度异常。一种功率转换装置，其包括具有开关元件的功率用半导体模块，该功率转换装置还包括：栅极驱动电路，其驱动开关元件，发送开关元件的开关动作时产生的响应信号；控制部装置，其对栅极驱动电路输出用于开关的指令信号；温度检测部，其基于与指令信号对应的响应信号，计算开关元件的结温；和运算部，其根据由温度检测部计算出的结温和响应信号，判断功率用半导体模块的状态。

公开(公告)号：CN110521104A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880023963.X

申请日：2018-02-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村嘉伸 ,  坂野顺一 ,  安井感 ,  松岛宏行 ,  古田太

IPC: H02M7/48 ,  H02P29/68

Abstract: 本发明的目的在于，在具有多个功率半导体器件的电力转换装置中，不设置温度传感器而廉价地在动作时检测开关元件的温度，诊断、控制电力转换装置的状态。为了达到上述目，本发明提供一种包括具有开关元件的功率半导体器件的电力转换装置，其包括：用于驱动开关元件的栅极驱动电路，其能够发送开关元件进行开关动作时的反馈信号；将用于进行开关的PWM指令信号输出至栅极驱动电路的控制部；基于PWM指令信号和反馈信号计算开关元件的结温度的温度检测部；和基于由温度检测部计算出的结温度和PWM指令信号来分析功率半导体器件的状态的运算处理部。

公开(公告)号：CN105553235B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510644671.6

申请日：2015-10-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 恩田航平 ,  坂野顺一 ,  石川胜美 ,  河野恭彦 ,  小西出政臣

IPC: H02M1/08 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H02M7/5387 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/163 ,  H03K17/168

Abstract: 本发明提供半导体驱动装置和使用该半导体驱动装置的电力变换装置。提供如下方法：在半导体开关元件的驱动装置中降低承担过电压保护的电压钳位电路的动作电流(Icl)，进而抑制与电压钳位电路的动作相伴的开关元件的切断损耗的增加。在控制半导体开关元件的导通/关断状态的半导体驱动装置中，具备：向开关元件的栅极控制端子传达控制信号的控制信号输出级电路；连接在开关元件的输入端子与栅极控制端子间的电压钳位电路；和检测开关元件的输出端子与栅极控制端子间的电压或栅极控制端子电流的检测电路，控制信号输出级电路在半导体开关元件的切断期间中基于检测电路的检测结果来降低控制信号输出级电路的输出级的阻抗。

公开(公告)号：CN106664033A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580011039.6

申请日：2015-06-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂野顺一 ,  古川公久 ,  小川贵史 ,  远藤久

IPC: H02M7/48

CPC classification number: H02M7/539 ,  H02M1/32 ,  H02M7/48 ,  H02M7/53 ,  H02M2001/0009 ,  H02M2001/0012 ,  H02M2001/327

Abstract: 本发明公开了一种电力转换装置的诊断系统，该电力转换装置具有半导体装置，该电力转换装置进行将在主电路中流动的主电流导通、切断的开关动作。该电力转换装置的诊断系统具有：电流变化量算出电路，其取得反映了主电流的每单位时间的电流变化量的数值数据；判断电路，其将数值数据与基准值进行比较来判断所述电力转换装置的状态；以及输出电路，其输出判断电路的判断结果。

公开(公告)号：CN102545860A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110339574.8

申请日：2011-10-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 原贤志 ,  坂野顺一

IPC: H03K17/567 ,  A61B8/00

CPC classification number: H03K17/063 ,  A61B8/4483 ,  H03K17/08104 ,  H03K17/102 ,  H03K17/6874

Abstract: 本发明提供具有良好的线性特性，且功率损失小的双向模拟开关的半导体装置，并且提供具有高检测精度的超声波诊断装置。所述内置有可双向接通或者断开的开关电路和所述开关电路的驱动电路的双向模拟开关的半导体装置中，所述驱动电路与第一以及第二电源连接，所述第一电源电压为施加在所述开关电路的输入输出端子上的信号的最大电压值以上，所述第二电源电压为施加在所述开关电路的输入输出端子上的信号的最小电压值以下，并且，所述驱动电路在所述第一电源和所述开关电路之间具有串联连接的齐纳二极管和P型MOSFET。另外，所述超声波诊断装置具有所述半导体装置。

公开(公告)号：CN101771405A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910260491.2

申请日：2009-12-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂野顺一 ,  原贤志 ,  白川真司

IPC: H03K17/567 ,  H01L27/06

CPC classification number: H03K17/163 ,  H03K17/6877

Abstract: 提供一种半导体装置和使用了它的电力变换装置。通过提高电力变换用的半导体绝缘栅型开关元件的驱动电路的输出级的元件的电流驱动能力并实现小型化，提供驱动电路被集成化的、更小型且高性能的驱动电路，进而通过使用它提供更小型且高性能的电力变换装置。为此，在控制绝缘栅型的主半导体开关元件的通断的驱动电路中，在控制上述主半导体开关元件的栅极电压的电路的输出级使用了绝缘栅控制型的双极半导体元件，尤其是IGBT。

公开(公告)号：CN1050226C

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN96103944.2

申请日：1996-03-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂野顺一 ,  小林秀男 ,  长洲正浩 ,  森睦宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/7455 ,  H01L29/102 ,  H01L29/749

Abstract: 本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个MIS场效应管和一个可控硅，这里，或者把MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层之间的可承受电压设置成低于该MIS场效应管的可承受电压，在MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层通过-p通道连接的条件下使该MIS场效应管“断掉”，或者减小该可控硅p基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。