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公开(公告)号:CN1523554A
公开(公告)日:2004-08-25
申请号:CN200410004879.3
申请日:2004-02-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G09G3/22 , G09G2310/02 , G09G2310/0267 , G09G2310/06 , G09G2320/0209 , G09G2330/021 , G09G2330/04
Abstract: 提供一种图像显示装置,将亮度调制元件排列成矩阵状,能降低功耗。它具有多个亮度调制元件、多个扫描电极、多个数据电极、第一驱动单元、以及第二驱动单元,其中:在某一时刻,上述扫描电极被分为施加了扫描脉冲的呈选择状态的电极以及除此以外的呈非选择状态的电极,呈上述选择状态的扫描线的条数为nl条,呈上述非选择状态的扫描线被分为高阻抗状态的非选择状态扫描线以及低阻抗状态的非选择状态扫描线,上述高阻抗状态的非选择状态扫描线呈比处于上述选择状态的扫描线高的阻抗状态,上述低阻抗状态的非选择状态扫描线呈比上述高阻抗状态的非选择状态扫描线低的阻抗状态,上述低阻抗状态的非选择状态扫描线的条数为大于等于nl×2条。
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公开(公告)号:CN1409358A
公开(公告)日:2003-04-09
申请号:CN02130109.3
申请日:2002-08-21
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置,可实现上部电极的布线连接高可靠性。包括:具有下部电极和上部电极,被这些电极夹置的电子加速层,在所述下部电极和上部电极间施加电压并将从该上部电极侧发射电子的薄膜型电子源形成阵列状的基板;以及荧光面;其中,所述阵列状的薄膜型电子源具有为了减少作为所述上部电极的馈电线朝向电子发射部侧的膜厚而进行了锥状加工的上部总线电极,以及用于将所述上部电极分离给每个电子源的悬伸构造。
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公开(公告)号:CN1324640C
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200310100306.6
申请日:2003-10-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J31/12
CPC classification number: H01J29/085 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种平面型显示装置,能够减少荧光体的充电电荷,可以容易高精度地配设间隔件。本发明的平面型显示装置包含:在绝缘性基板(10)上形成有发射电子的多个冷阴极元件(19)的背面基板(1);和在与背面基板(1)对向配置的透光性基板(110)上形成有因从冷阴极元件(19)产生的电子束激励而发光的荧光体(111)的显示基板(101);和框架部件(116)。此外,使由背面基板(1)和显示基板(101)和框架部件(116)包围的空间为真空环境气氛。而且,在显示基板(101)的透光性基板(110)上设置金属片(120),该金属片矩阵状设置有将荧光体(111)内在而形成发光区域的多个微细孔(122)。
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公开(公告)号:CN1801450A
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN200510127553.4
申请日:2005-12-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G09G3/22 , B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明提供一种可以在使用电子发射元件的图像显示装置中有效显示明亮图像的技术。为此,本发明的图像显示装置具备多个电子发射元件(206、216、207、217、208、218)、与该多个电子发射元件分别相对而设并通过该电子发射元件发出的电子而发光的多个荧光体(103~105)。上述电子发射元件是在二个金属层之间夹着绝缘层的电容性的电子发射元件。设置分别与多个荧光体对应,并相互电气串联连接的二个电容性的电子发射元件(206-216、207-217、208-218)。
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公开(公告)号:CN1649076A
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN200510005139.6
申请日:2005-01-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J31/12
CPC classification number: H01J29/028 , H01J31/127 , H01J2329/8625 , H01J2329/8655 , H01J2329/866
Abstract: 本发明提供一种平面型显示装置,具有:在绝缘性基板(10)上形成了释放电子的多个冷阴极元件的背面基板(1);在透光性基板(110)上成矩阵状配置荧光体(111)的显示基板(101);配置于背面基板(1)与显示基板(101)之间并维持其间隔的支撑体(30);和框体部件(116),背面基板(1)与显示基板(101)及框体部件所围成的空间为真空气氛,背面基板(1)在垂直的行方向配线与列方向配线的交叉点有冷阴极元件,支撑体(30)由各向异性导电粘接材料(127)粘接配置在行方向配线或列方向配线上。由此有衬垫的部分及无衬垫的部分在扫描线方向上扫描线电阻值不发生显著变化,可减轻亮度不均匀性,具有衬垫与扫描线导电连接结构。
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公开(公告)号:CN1647231A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN02829411.4
申请日:2002-10-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J29/481 , B82Y10/00 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/3125
Abstract: 在薄膜型电子源阵列的作为向上部电极(13)供电的供电线的上部电极供电布线(16)之下形成第二层间绝缘层(15)来防止短路。而且,通过用第二层间绝缘层(15)限制电子发射部,覆盖在电子加速层(12)和第一层间绝缘层(14)的边界上偏析出来的缺陷,抑止长时间绝缘破坏。
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公开(公告)号:CN1512468A
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN200310124443.3
申请日:2003-12-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J31/127 , B82Y10/00 , H01J1/312 , Y10S345/905
Abstract: 本发明提供用具有能够由简单的制造过程形成的结构的薄膜型电子源的图像显示装置。在阴极基板(10)上形成下部电极(11)、保护绝缘层(14)、层间膜(15),在其上具有由下层金属膜(16)和上层金属膜(18)的层积膜构成的上部总线电极(20)。当用溅射法在该像素的上部总线电极(20)和邻接像素的上部总线电极(20)的2条带状电极的上层形成由在下部电极(11)上成为电子下层的绝缘层(12)和上部电极(13)构成的每个像素的薄膜型电子源的上部电极(13)时,上部电极(13),被构成该上部总线电极(20)的下层金属膜(16)的后退部分(16A)和上层金属膜(18)的屋檐(18A)自匹配地分离,形成对于每个像素分离的薄膜型电子源。
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公开(公告)号:CN1361908A
公开(公告)日:2002-07-31
申请号:CN00810437.9
申请日:2000-09-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G09G3/22 , H01J31/127
Abstract: 本发明的目的在于降低图像显示装置中薄膜电子源矩阵的消耗功率。所述薄膜电子源矩阵包括:多个电子源元件,每个具有依次形成的下部电极、绝缘层和上部电极的结构,当上部电极上施加正极性的电压时,从上部电极的表面发射电子;多个行电极,对所述多个电子源元件中的行方向的电子源元件的下部电极施加驱动电压;以及多个列电极,对所述多个电子源元件中的列方向的电子源元件的上部电极施加驱动电压;对所述行电极供给驱动电压的行电极驱动电路和对所述列电极供给驱动电压的漏电极驱动电路将非选择状态的行电极和/或列电极设定为高阻抗(HIGH-Z)状态。
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公开(公告)号:CN1355523A
公开(公告)日:2002-06-26
申请号:CN01108923.7
申请日:2001-02-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J29/96 , G09G3/20 , G09G3/2011 , G09G3/22 , G09G3/3216 , G09G3/3266 , G09G2310/065 , G09G2320/0209 , G09G2330/021
Abstract: 图象显示装置,具有多个在加上正极性的电压时进行辉度调制,且在加上逆极性的电压时不进行辉度调制的辉度调制器件,具有:电连到辉度调制器件的第1电极上的多条第1布线;电连到辉度调制器件的第2电极上且与上述第1布线交叉的多条第2布线;结线到上述多条第1布线上,输出扫描脉冲的第1驱动部分;结线到上述多条第2布线上的第2驱动部分。第1驱动部分,把非被选状态的上述第1布线设定为比被选状态的上述第1布线还高的高阻抗状态。
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公开(公告)号:CN102110722A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN201010254421.9
申请日:2010-08-13
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0248 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/022466 , H01L31/0296 , H01L31/1836 , H01L31/1852 , H01L31/1884 , Y02E10/541 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供:化合物薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池的制造方法及化合物薄膜太阳能电池模块。解决以往的缓冲层耐热性低,工艺、模块结构复杂的问题。作为n型的缓冲层,采用将TiO2作为母材,将ZrO2、HfO2、GeO2、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、K(Ta、Nb)O3、Na(Ta、Nb)O3中的任一种或多种作为带隙调整用的添加材料;将BaTiO3作为母材,将SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3中的任一种或多种作为带隙调整用的添加材料;将K(Ta、Nb)O3作为母材,将Na(Ta、Nb)O3作为带隙调整用的添加材料。
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