半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法

    公开(公告)号:CN116564989A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310060133.7

    申请日:2023-01-17

    Abstract: 提供半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:第一导电类型半导体层,其在其上部中具有彼此间隔开的多个杆;多个有源层,其分别形成在多个杆的上表面上;多个第二导电类型半导体层,其分别形成在多个有源层的上表面上;绝缘间隔件,其共形地形成在多个杆之间,围绕多个有源层中的每一个的所有侧壁,并且覆盖多个第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分;第一电极层,其与第一导电类型半导体层的下部接触;以及第二电极层,其填充绝缘间隔件的内部空间并且与多个第二导电类型半导体层接触。

    CDS电路、CDS电路的操作方法和包括CDS电路的图像传感器

    公开(公告)号:CN114079739A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110923140.6

    申请日:2021-08-12

    Inventor: 李赫钟 崔容硕

    Abstract: 公开了相关双采样(CDS)电路、CDS电路的操作方法及包括CDS电路的图像传感器。所述CDS电路包括:第一比较器,被配置为:基于第一偏置电流进行操作,以及在第一时段和第四时段期间将从像素输出的像素电压与斜坡信号进行比较,所述像素在第一时段和第四时段期间在低转换增益模式(LCG)下操作;以及第二比较器,被配置为:基于第二偏置电流进行操作,以及在第二时段和第三时段期间将从所述像素输出的像素电压与斜坡信号进行比较,所述像素在第二时段和第三时段期间在高转换增益(HCG)模式下操作,第二时段在第一时段之后,第三时段在第二时段之后,并且第四时段在第三时段之后。

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