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公开(公告)号：CN109397036A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810845872.6
申请日：2018-07-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/06 , B24B21/18 , B24B21/20 , B24B1/04 , B24B27/033 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/687
CPC classification number: B24B55/12 , B24B7/228 , B24B21/004 , B24B21/08 , B24B41/067 , B24B47/12 , B24D11/02 , B24B21/06 , B24B1/04 , B24B21/18 , B24B21/20 , B24B27/033 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/687
Abstract: 提供一种在基板的背面朝下的状态下能够有效地研磨包含基板的背面的最外部的背面整体的方法和装置。另外，提供一种在基板的背面朝下的状态下有效地处理包含基板的背面的最外部的背面整体的方法。本方法如下，在基板(W)的背面朝下的状态下，一边使多个辊(11)与基板(W)的周缘部接触，一边使多个辊(11)以各自的轴心为中心旋转，从而使基板(W)旋转，一边向基板(W)的背面供给液体，并且使配置于基板(W)的下侧的研磨带(31)与基板(W)的背面接触，一边使研磨带(31)相对于基板(W)进行相对运动，来研磨基板(W)的背面整体。
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公开(公告)号：CN103962941B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410039682.7
申请日：2014-01-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B21/004 , B24B21/06 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B37/30
Abstract: 一种研磨方法，用基板保持部(17、42)对基板(W)进行保持，一边使基板(W)旋转，一边使研磨件(22、44)与基板(W)的整个背面滑动接触，由此研磨整个背面。背面研磨工序包括：一边用基板保持部(17)对基板(W)的中心侧区域进行保持，一边对背面的外周侧区域进行研磨；一边用第2基板保持部(42)对基板(W)的伞形部进行保持，一边对背面的中心侧区域进行研磨。采用本发明，能以较高的去除率去除附着在晶片等基板整个背面上的杂质。
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公开(公告)号：CN101784369A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880102861.3
申请日：2008-07-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B9/065
Abstract: 本发明为一种研磨装置，是使研磨工具(41)与基板(W)的周缘部(坡口部、缺口部、切缘部)滑动接触而研磨该周缘部的研磨装置。该研磨装置具备：基板保持部(20)，对基板(W)进行保持；和研磨头(42)，利用研磨工具(41)来对基板保持部(20)所保持的基板(W)的周缘部进行研磨。该研磨头(42)具有：加压垫(50)，将研磨工具(41)按压到基板(W)的周缘部上；和线性电动机(90)，使加压垫(50)往复运动。
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公开(公告)号：CN101332580A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810128588.3
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B21/002 , B24B9/065 , H01L21/68707 , H01L21/68792
Abstract: 根据本发明的抛光装置适用于对诸如半导体晶片的衬底的周边进行抛光。该抛光装置包括保持工件的保持部分、使抛光带与工件接触的抛光头、向所述抛光头供给抛光带的供给卷轴、使已经接触过工件的抛光带重绕的重绕卷轴、以及使所述抛光头进行摇摆运动的摆动机构，其中所述摇摆运动的枢转点位于预定点上。
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公开(公告)号：CN100429752C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200580003567.3
申请日：2005-02-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
CPC classification number: B24B37/02 , B24B9/065 , B24B21/002
Abstract: 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度，或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括：外壳(3)，其用于在其中形成抛光室(2)；旋转台(1)，其用于保持和旋转衬底(W)；抛光带供应机构(6)，其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5)；抛光头(35)，其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上；液体供应装置(50)，其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上；以及调节机构(16)，其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101164148A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013140.6
申请日：2006-04-18
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
Abstract: 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号：CN109397036B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201810845872.6
申请日：2018-07-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/06 , B24B21/18 , B24B21/20 , B24B1/04 , B24B27/033 , B24B57/02 , H01L21/304 , H01L21/687
Abstract: 提供一种在基板的背面朝下的状态下能够有效地研磨包含基板的背面的最外部的背面整体的方法和装置。另外，提供一种在基板的背面朝下的状态下有效地处理包含基板的背面的最外部的背面整体的方法。本方法如下，在基板(W)的背面朝下的状态下，一边使多个辊(11)与基板(W)的周缘部接触，一边使多个辊(11)以各自的轴心为中心旋转，从而使基板(W)旋转，一边向基板(W)的背面供给液体，并且使配置于基板(W)的下侧的研磨带(31)与基板(W)的背面接触，一边使研磨带(31)相对于基板(W)进行相对运动，来研磨基板(W)的背面整体。
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公开(公告)号：CN107073674A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580058353.X
申请日：2015-10-30
Abstract: 本发明涉及一种用于对金属筐体等工件进行研磨并进行镜面精加工的化学机械研磨(CMP)装置。化学机械研磨装置包括：研磨垫(2)，该研磨垫(2)具有环状研磨面(2a)，环状研磨面(2a)具有弯曲的纵截面；工件保持部(11)，该工件保持部(11)对具有多边形形状的工件(W)进行保持；旋转装置(15)，该旋转装置(15)使工件保持部(11)绕工件(W)的轴心旋转；按压装置(14)，该按压装置(14)将工件(W)的周缘部按压到环状研磨面(2a)；以及动作控制部(25)，该动作控制部(25)根据工件(W)的旋转角度改变旋转装置(15)使工件(W)旋转的速度。在研磨台(3)的半径方向上，按压装置(14)配置于比工件保持部(11)靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN1977361B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200680000420.3
申请日：2006-04-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
CPC classification number: H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
Abstract: 一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。
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公开(公告)号：CN1914711A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003567.3
申请日：2005-02-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B9/00
CPC classification number: B24B37/02 , B24B9/065 , B24B21/002
Abstract: 本发明涉及一种抛光装置，所述抛光装置用于消除衬底的外围部分处产生的表面粗糙度，或者用于去除形成于衬底的外围部分上的膜。所述抛光装置包括：外壳(3)，其用于在其中形成抛光室(2)；旋转台(1)，其用于保持和旋转衬底(W)；抛光带供应机构(6)，其用于将抛光带(5)供应到抛光室(2)中并且收回已经供应至抛光室(2)的抛光带(5)；抛光头(35)，其用于将抛光带(5)压在衬底(W)的倾斜部分上；液体供应装置(50)，其用于将液体供应至衬底(W)的前表面和后表面上；以及调节机构(16)，其用于使抛光室(2)的内部压力被设置为低于抛光室(2)的外部压力。
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