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公开(公告)号：CN114550754B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202110947763.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/39
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、及层叠体。层叠体包括第1磁性部件、设置于第1磁性部件与第2磁极之间的第2磁性部件、及设置于第1磁性部件与第2磁性部件之间且包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个的第1层。第1磁性部件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。第1非磁性区域包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。多个第1磁性区域包含选自由Fe、Co及Ni构成的群的至少1个。第1层的沿着第1方向的厚度比第1非磁性区域的沿着第1方向的厚度厚。
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公开(公告)号：CN113763994B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110210749.9
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁极之间的第2磁性构件、设置于所述第1磁性构件与所述第2磁性构件之间且包括Cu的第1层及设置于所述第2磁性构件与所述第2磁极之间且包括Cu的第2层。所述第1磁性构件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。所述多个第1磁性区域包括作为从由Fe、Co及Ni构成的群选择出的至少1个的第1元素。所述第1非磁性区域包括作为从由Mn、Cr、V、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个的第2元素。
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公开(公告)号：CN113409829B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010951377.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头。根据实施方式，磁头包括第1屏蔽件、第2屏蔽件、磁极、第1磁性层以及第1非磁性部件。第1屏蔽件包括第1部分区域～第3部分区域。从第2部分区域朝向第3部分区域的方向沿着第1方向。第1部分区域的位置处于第2部分区域与第3部分区域的位置之间。从第1屏蔽件朝向第2屏蔽件的第2方向与第1方向交叉。磁极设置在第1部分区域与第2屏蔽件之间。磁极处于第2部分区域与第3部分区域之间。第1磁性层处于磁极与第2屏蔽件之间。第1非磁性部件包括第1部分、第2部分。第1部分处于磁极与第1磁性层之间。第2部分在第2方向上处于第2部分区域与第2屏蔽件之间。第2部分与第2部分区域电连接。
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公开(公告)号：CN113393868B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010945118.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、磁记录介质以及电气电路。所述磁头包括磁极、第1屏蔽件以及设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层、设置在所述磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置在所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第1非磁性层、设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间的第2非磁性层以及设置在所述磁极与所述第2磁性层之间的第3非磁性层。
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公开(公告)号：CN112786074B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010952619.8
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。所述磁头包括第1磁极、第2磁极以及设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括：第1非磁性层；第1磁性层，其设置在所述第1非磁性层与所述第2磁极之间；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，其设置在所述第1层与所述第2磁极之间；第2磁性层，其设置在所述第2非磁性层与所述第2磁极之间；以及第3非磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第2磁极之间。所述电气电路向所述层叠体供给第1电流，所述第1电流具有从所述第2磁极朝向所述第1磁极的第1方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466341B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010170190.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B11/105
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
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公开(公告)号：CN113889152A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN114927147B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN114512149A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110973274.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 本发明提供能够提高记录能力的磁记录装置以及磁记录方法。根据实施方式，磁记录装置包括磁头、第1电路、第2电路、第3电路以及控制部。所述磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。所述磁元件设置在所述第1磁极与所述第2磁极之间。所述磁元件包括第1磁性层。所述第1电路能够向所述线圈供给线圈电流。所述第2电路能够向所述磁元件供给元件电流。所述第3电路能够检测所述磁元件的电阻。所述控制部能够基于由所述第3电路检测到的所述电阻对所述第2电路进行控制，从而对所述元件电流进行控制。
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公开(公告)号：CN114121044A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110213952.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第3非磁性层。第2磁性层包括第1磁性区域及第2磁性区域。第2磁性区域处于第2非磁性层与第1磁性区域之间。第1磁性区域包括第1元素，第1元素包括Fe、Co及Ni的至少1个。第2磁性区域包括第1元素和第2元素，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。第1磁性区域不包括第2元素，或者，第1磁性区域中的第2元素的浓度比第2磁性区域中的第2元素的浓度低。
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