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公开(公告)号：CN100446011C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510115614.5
申请日：2005-11-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F17/50 , H01L21/027 , G03F1/00 , G03F7/00
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 一种图形生成方法，其特征在于，读出规定布线图形的布线布局的数据和规定能够与上述布线图形连接的孔图形的孔布局的数据；在同一布线层等级内提取与图形处理区域的上述布线图形连接的孔图形；提取包括上述孔图形的第1处理区域；计算上述第1处理区域包含的上述布线图形的第1图形覆盖率；以及根据上述第1图形覆盖率在上述第1处理区域生成第1追加图形。
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公开(公告)号：CN100390986C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN03133104.1
申请日：2003-07-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/535 , H01L23/528 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体集成电路器件的设计方法中，当下互连的宽度或体积不大于给定值时，给出一个通孔接触，多级互连的上、下互连通过它而相连。当下互连的宽度和体积超过给定值时，给出多个通孔接触，它们以不大于给定值的规则间距排列在包括在下互连中的空位有效扩散区中。
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公开(公告)号：CN1819140A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610003051.5
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/76814
Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。
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公开(公告)号：CN1574337A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048052.2
申请日：2004-06-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/76807 , H01L21/76835 , H01L21/76844 , H01L21/76868 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：多孔膜，形成于半导体衬底上，所述多孔膜具有从沟槽和孔中选择的至少一个掩埋凹槽；导电阻挡层，形成于掩埋凹槽的内表面上；导电部分，掩埋于掩埋凹槽中，在多孔膜和导电部分之间间隔有导电阻挡层；以及混合层，形成于多孔膜和导电阻挡层之间并含有多孔膜的成分和导电阻挡层的成分。
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公开(公告)号：CN1375871A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02118069.5
申请日：2002-03-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76886 , H01L21/76888 , H01L22/32 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05017 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05093 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05567 , H01L2224/05605 , H01L2224/05611 , H01L2224/05613 , H01L2224/05616 , H01L2224/0562 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45116 , H01L2224/4512 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48505 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48711 , H01L2224/48716 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48799 , H01L2224/48805 , H01L2224/48811 , H01L2224/48813 , H01L2224/48816 , H01L2224/4882 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/85375 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2224/05609 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2224/48713 , H01L2224/48705 , H01L2224/4872 , H01L2224/48605 , H01L2224/48613 , H01L2224/4862 , H01L2924/00015
Abstract: 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层,与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100414684C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200610003051.5
申请日：2006-01-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/02063 , H01L21/31116 , H01L21/76814
Abstract: 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF3、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。
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公开(公告)号：CN1321436C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200410074199.9
申请日：2004-09-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 根据本发明的一个方案，提供一种模拟电路图形评估方法，该方法包括：以各自状态在各自的几何结构限定参数中出现相同次数的方式，通过结合多个各自具有至少两个状态的几何结构限定参数，来设计模拟半导体集成电路的电路图形的模拟电路图形集合体；在衬底上形成模拟电路图形集合体；以及评估形成的模拟电路图形集合体。
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公开(公告)号：CN1770423A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510105721.X
申请日：2005-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , C23C14/0635 , C23C14/165
Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体器件的制造方法包括：在其表面具有凹槽部分的衬底上形成镀膜，以通过镀敷方法填埋所述凹槽部分；在所述镀膜上形成压应力施加膜，所述压应力施加膜由具有与构成所述镀膜的金属的热膨胀系数相比 60％或更小的热膨胀系数的材料构成；热处理，通过所述压应力施加膜向所述镀膜施加压应力；以及去除所述压应力施加膜和没有填埋在所述凹槽部分中的所述镀膜。
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公开(公告)号：CN1747154A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510102579.3
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/00 , H01L21/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/76898
Abstract: 晶片支持板由紫外线可透过的玻璃或树脂形成为大致圆板状，其外径比要支持的半导体晶片的外径大。在晶片支持板上，与在半导体晶片上形成的多个贯通孔相对应地形成有多个开口。这些开口的开口面积比贯通孔的开口面积更宽广，即，开口直径更大。
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公开(公告)号：CN1702827A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510078832.6
申请日：2005-05-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/283
CPC classification number: H01L21/76862 , H01L21/76807 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 根据本发明一个方面的半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成Cu的籽晶膜；多晶化在衬底上形成的籽晶膜；以及通过电解电镀在多晶化的籽晶膜上形成Cu的电镀膜。
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