公开(公告)号：CN107924731B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201680050879.8

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 森本一光 ,  福田幸洋 ,  齐藤昭久 ,  近藤弘康

IPC: G21K4/00 ,  A61B6/00 ,  G01T1/20

Abstract: 实施方式的陶瓷闪烁器阵列(1)具备由稀土类氧硫化物荧光体的烧结体形成的多个闪烁器节(2)和介于相邻的闪烁器节间的反射层(3)。反射层(3)含有透明树脂和分散于透明树脂内的反射粒子。反射粒子包含氧化钛和选自由氧化铝、氧化锆及二氧化硅组成的组中的至少1种无机物质。透明树脂的玻璃化转变温度为50℃以上，且比玻璃化转变温度高的温度下的透明树脂的热膨胀系数为3.5×10‑5/℃以下。

公开(公告)号：CN110050311A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075691.3

申请日：2017-12-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 林诚 ,  近藤弘康 ,  市川浩 ,  足达祥卓 ,  福田幸洋

IPC: G21K4/00 ,  A61B6/03 ,  G01T1/20

Abstract: 本发明提供一种闪烁器阵列，其具备第1闪烁器元件、第2闪烁器元件和反射体，该反射体设置于第1及第2闪烁器元件之间且第1及第2闪烁器元件之间的宽度为80μm以下。第1及第2闪烁器元件分别具备含有稀土类氧硫化物荧光体的多晶体，多晶体具有面积为1mm以下×1mm以下的放射线入射面。多晶体的晶粒的平均晶体粒径为5μm～30μm，平均晶体粒径由在通过使用扫描型电子显微镜观察多晶体而得到的观察图像上测定的晶粒的平均切片长来定义。存在于多晶体的表面中的缺陷的最大长度或最大直径为40μm以下。