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公开(公告)号：CN118588117A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058164.5
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层。在记录动作中施加于第1磁极与第2磁极之间的元件电压比第2正峰电压高。
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公开(公告)号：CN118588116A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202311058096.2
申请日：2023-08-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件。磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。第5磁性层包含Fe、Co及Ni中的至少一种、和从由Cr、V、Mn、Ti、N及Sc构成的组中选择出的至少一种第1元素。第5非磁性层包含从由Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W构成的组中选择出的至少一种。第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。
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公开(公告)号：CN115910116A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210070371.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够实现记录密度的提高的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头及控制部。磁头包括第1磁极、磁元件及线圈，磁元件包括磁性层。控制部与磁元件及线圈电连接。控制部能够向线圈供给记录电流且向磁元件供给元件电流。记录电流包括第1极性的第1期间、与第1极性不同的第2极性的第2期间、从第1期间向第2期间转变的第3期间及从第2期间向第1期间转变的第4期间。元件电流包括直流成分和交流成分。第1期间中的交流成分与第2期间中的交流成分、第3期间中的交流成分及第4期间中的交流成分相同。
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公开(公告)号：CN113129932B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202010950143.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115472184A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210084245.1
申请日：2022-01-21
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包含第1磁极、第2磁极、磁性元件和磁性部件。磁性元件设置于第1磁极与第2磁极之间并包含第1磁性层。磁性部件包含第1磁性部。从第1磁性部向磁性元件的第2方向与从第1磁极向第2磁极的第1方向相交叉。第1磁性部包含磁性材料。磁性材料包含第1材料、第2材料和第3材料中的至少任一方。第1材料包含从由Mn3Sn、Mn3Ge和Mn3Ga构成的群中选择的至少一个。第2材料包含从由包含Mn和Ni的立方晶或正方晶的化合物、包含γ相的Mn的立方晶合金、以及包含Fe的立方晶合金构成的群中选择的至少一个。第3材料包含反铁磁性体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114927147A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110858621.3
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
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公开(公告)号：CN118412010A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202310946167.6
申请日：2023-07-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本公开提供能提高性能的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1～第4屏蔽件、第1～第4端子及第1磁性构件。第3屏蔽件包括第1、第2部分区域。第4屏蔽件包括第3、第4部分区域。在从第1屏蔽件向第2屏蔽件的第1方向上，第1磁性构件处于第1屏蔽件的一部分与第2屏蔽件的一部分之间。在与第1方向交叉的第2方向上，第1磁性构件处于第1部分区域与第3部分区域之间。第1屏蔽件的一部分在第2方向上处于第2部分区域与第4部分区域之间。
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公开(公告)号：CN113889152B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN116230025A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210926360.9
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层～第4磁性层和第1非磁性层～第5非磁性层，第2非磁性层与第2磁性层及第1磁性层接触，第3非磁性层与第3磁性层及第2磁性层接触，第4非磁性层与第4磁性层及第3磁性层接触，沿着从第1磁极向第2磁极的第1方向的第4磁性层的第4厚度为沿着第1方向的第1磁性层的第1厚度的0.5倍以上且1.6倍以下，沿着第1方向的第2磁性层的第2厚度小于第1厚度。
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公开(公告)号：CN114974318A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110857056.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
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