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公开(公告)号:CN1941438A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610141243.2
申请日:2006-09-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor: 铃木真理子 , 小野富男 , 酒井忠司 , 佐久间尚志 , 吉田博昭
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/24 , H01L33/44 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供发光效率高、减少了发热的半导体发光元件。该半导体发光元件的特征在于具备:第1半导体层(3);配置在第1半导体层上的折射率比第1半导体层(3)小的发光层(4);配置在发光层(4)上的折射率比发光层(4)小的第2半导体层(5);连接到第1半导体层(3)和第2半导体层(5)的向发光层(4)供给电流的金属电极(6a)、(6b)。