公开(公告)号：CN110050341B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201780075662.7

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 泷本和靖 ,  市仓优太 ,  大部利春 ,  伊东弘晃 ,  渡边尚威 ,  田多伸光 ,  山成真辉 ,  平塚大祐 ,  关谷洋纪 ,  久里裕二 ,  饭尾尚隆 ,  松村仁嗣

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/492 ,  H01L25/18 ,  H01L23/367

Abstract: 根据实施方式，半导体装置具备第1金属板、第2金属板和2个以上的半导体单元。上述2个以上的半导体单元配置在上述第1金属板上。上述2个以上的半导体单元分别包含第1金属部件、第2金属部件和半导体元件。上述第1金属部件包含与上述第1主面连接的第1连接面。上述第2金属部件包含与上述第2主面连接的第2连接面。上述半导体元件包含具有与上述第1连接面以及上述第2连接面分别对置的面的有源区域。上述第1连接面的面积大于与上述第1连接面对置的上述有源区域的面的面积。上述第2连接面的面积大于与上述第2连接面对置的上述有源区域的面的面积。