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公开(公告)号：CN101276906B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810008627.6
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01N23/223 , C23C14/10 , C23C14/545 , C23C14/562 , G01N2223/076 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池及其负极的检查方法、制造方法、负极的检查装置及制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述非水电解质二次电池用负极的检查方法中，将X射线照射于活性物质层上，其中所述活性物质层在由包含铜、镍、钛、铁之中的至少任一种的金属构成的集电体上，且由硅、或能够以电化学的方式嵌入和脱嵌锂离子的组成已知的硅化合物构成；并且对由所述活性物质层产生的荧光X射线中的、作为集电体中含有的金属的荧光X射线的Cu Kα线、Ni Kα线、Ti Kα线、Fe Kα线之中的任一种的衰减量进行测定。
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公开(公告)号：CN101276905B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810008620.4
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/04 , H01M4/485 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/661 , H01M10/05 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及电池及其负极的制造方法、负极的制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述电池用负极的制造方法中，在集电体上形成含有金属元素M、和选自氧、氮、碳之中的至少任一种的元素A的活性物质层。向该活性物质层照射X射线，对由活性物质层产生的荧光X射线中元素A的Kα线的强度和金属元素M的Kα线的强度中的至少一个进行测定。使用了根据本发明的制造方法而制作的负极的电池作为移动通信设备、便携式电子设备等的主电源是有用的。
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公开(公告)号：CN101276907A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810008628.0
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及电池及其负极的检查方法、制造方法、负极的检查装置及制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述电池用负极的检查方法中，对集电体和活性物质层的总计厚度进行测定。另外，为推定活性物质层的组成而测定集电体和活性物质层的总计电阻率。使用了根据本发明的制造方法而制作的负极的电池作为移动通信设备、便携式电子设备等的主电源是有用的。
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公开(公告)号：CN101276906A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810008627.6
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01N23/223 , C23C14/10 , C23C14/545 , C23C14/562 , G01N2223/076 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池及其负极的检查方法、制造方法、负极的检查装置及制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述非水电解质二次电池用负极的检查方法中，将X射线照射于活性物质层上，其中所述活性物质层在由包含铜、镍、钛、铁之中的至少任一种的金属构成的集电体上，且由硅、或能够以电化学的方式嵌入和脱嵌锂离子的组成已知的硅化合物构成；并且对由所述活性物质层产生的荧光X射线中的、作为集电体中含有的金属的荧光X射线的Cu Kα线、Ni Kα线、Ti Kα线、Fe Kα线之中的任一种的衰减量进行测定。
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公开(公告)号：CN109216550A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810584996.3
申请日：2018-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池以及太阳能电池模块。所述太阳能电池具有：第1电极；第1空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍；无机材料层，其位于所述空穴传输层上且含有钛；光吸收层，其位于所述无机材料层上，与所述无机材料层接触并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上且与所述第1电极相对置；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103620805A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201180071939.1
申请日：2011-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5215 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在提高空穴注入特性的耐溶解性的同时，发挥良好的空穴注入效率，从而可望具有优异的发光特性的有机发光元件。在基板10的一面上依次层叠阳极2、空穴注入层4、缓冲层6A、发光层6B、阴极8而构成有机EL元件1。发光区域被堤5分区。空穴注入层4是以规定条件成膜的、含有氧缺失部分的氧化钨层，在电子状态中在比价电子带最低的结合能还低1.8～3.6eV的结合能的范围内存在占有能级。成膜后在200℃以上230℃以下的温度、空气中烧成15分钟以上45分钟以下，能够使膜密度增大，提高对堤形成工序时中使用的蚀刻液、清洗液等的耐溶解性。
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公开(公告)号：CN103314462A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280004532.1
申请日：2012-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L27/3279 , H01L27/329 , H01L51/5088 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种有机EL显示面板和有机EL显示装置，能够用低电压进行驱动，并且能够实现优异的发光效率。具体而言，在基板（10）上依次形成第1电极（20）及辅助布线（30）、空穴注入层（40）、功能层以及第2电极（90）。所述空穴注入层（40）和所述第2电极（90）分别连续地形成在所述第1电极（20）的上方以及所述辅助布线（30）的上方。所述第2电极（90）和所述辅助布线（30）经由所述空穴注入层（40）而电连接。空穴注入层（40）构成为包含氧化钨，且形成为厚度为2nm以上，使得在其电子态中，在比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内具有占有能级。
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公开(公告)号：CN103283054A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180064123.6
申请日：2011-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/52 , H01L51/5088 , H01L51/56 , H01L2251/55
Abstract: 本发明提供能耐受有机EL显示面板的量产工艺，并且由于优异的空穴注入效率而能期待实现低电压驱动且高发光效率的有机EL元件。具体地讲，在基板（10）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（4）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8），构成有机EL元件（1）。空穴注入层（4）为以规定的成膜条件成膜的膜厚2nm以上的氧化钨层，并且，在其电子态中，在比价电子带中最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能的范围内存在占有能级。由此，降低阳极（2）与空穴注入层（4）之间、以及空穴注入层（4）与缓冲层（6A）之间的空穴注入势垒。
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公开(公告)号：CN103053040A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080068374.7
申请日：2010-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5369 , H05B33/22
Abstract: 本发明提供一种有机EL元件，能够耐受有机EL显示面板的量产工艺，且能实现优异的空穴注入效率，在低电压驱动下具有高发光效率。具体而言，在基板（1）的一面依次层叠阳极（2）、空穴注入层（4）、缓冲层（6A）、发光层（6B）、阴极（8）而构成有机EL元件（1000）。在空穴注入层（4）的表面形成堤（5）以使得包围所述缓冲层（6A）以上的结构。空穴注入层（4）通过溅射成膜氧化钨薄膜而形成。此时，将氧化钨成膜为在其电子态中在比价电子带最低的结合能低1.8～3.6eV的结合能区域内存在占有能级，降低相对于所述缓冲层的空穴注入势垒。在此，在由所述堤（5）规定的区域形成所述功能层侧的表面的一部分与其他部分相比更位于所述阳极一侧的凹陷构造，由所述堤的一部分覆盖所述凹陷构造的凹部的边缘。
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公开(公告)号：CN102884650A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201280001207.X
申请日：2012-02-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L51/5088 , H05B33/26
Abstract: 本发明提供能够以低电压进行驱动并且能够实现优异的发光效率的有机EL显示面板以及有机EL显示装置。有机EL显示面板（110）具备基板（10）、第1电极（20）、辅助布线（30）、空穴注入层（40）、功能层以及第2电极（90），空穴注入层（40）以及第2电极（90）的各个连续地形成于第1电极（20）的上方以及辅助布线（30）的上方，第2电极（90）与辅助布线（30）经由空穴注入层（40）电连接，空穴注入层（40）为金属氧化物膜，构成金属氧化物的金属原子以其能够取得的最大化合价的状态以及比该最大化合价低的化合价的状态包含于金属氧化物膜，并且金属氧化物膜包含粒径为纳米级的大小的金属氧化物的晶体（13）。
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