公开(公告)号：CN101911269B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200980102246.7

申请日：2009-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木武 ,  保手浜健一 ,  平野浩一 ,  中谷诚一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种柔性半导体装置。本发明的柔性半导体装置具有：金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；金属氧化膜，其是构成金属层的金属的金属氧化膜，形成在金属层的表面区域；以及半导体层，其隔着金属氧化膜而形成在栅极电极之上。本发明的柔性半导体装置在金属层的表面区域局部形成未被金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，经由非覆盖部位，源极电极和半导体层之间以及漏极电极和半导体层之间相互电连接。

公开(公告)号：CN101911269A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980102246.7

申请日：2009-11-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木武 ,  保手浜健一 ,  平野浩一 ,  中谷诚一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种柔性半导体装置。本发明的柔性半导体装置具有：金属层，其具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；金属氧化膜，其是构成金属层的金属的金属氧化膜，形成在金属层的表面区域；以及半导体层，其隔着金属氧化膜而形成在栅极电极之上。本发明的柔性半导体装置在金属层的表面区域局部形成未被金属氧化膜覆盖的非覆盖部位，经由非覆盖部位，源极电极和半导体层之间以及漏极电极和半导体层之间相互电连接。