MnZn类铁素体
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114206805B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202180004188.5

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 本发明提供一种MnZn类铁素体,其兼具:平板状磁芯根据JISR 1607测定的断裂韧性值为1.10MPa·m1/2以上的优异的机械特性与在相同条件下制作的环形磁芯在100℃、300kHz、100mT下的损耗值为450kW/m3以下的良好的磁特性。所述MnZn类铁素体为由基本成分、辅助成分和不可避免的杂质组成的MnZn类铁素体,不可避免的杂质中的P、B、Na、Mg、Al以及K的含量分别控制为:P:不足10质量ppm,B:不足10质量ppm,Na:不足200质量ppm,Mg:不足200质量ppm,Al:不足250质量ppm,以及K:不足100质量ppm。

    MnCoZn类铁素体
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114269709B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202180003658.6

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 提供一种MnCoZn类铁素体,该MnCoZn类铁素体兼具:平板状磁芯基于JIS R1607测定的断裂韧性值为1.00MPa·m1/2以上的优异的机械特性、电阻率为30Ω·m以上、居里温度为100℃以上、相同条件下制成的环形磁芯的矫顽力为15.0A/m以下并且23℃和10MHz下的初始磁导率的值为150以上的优异的磁特性。一种MnCoZn类铁素体,其为由基本成分、辅助成分和不可避免的杂质组成的MnCoZn类铁素体,不可避免的杂质中的P、B、Na、Mg、Al及K的含量分别控制在:P:不足10质量ppm;B:不足10质量ppm;Na:不足200质量ppm;Mg:不足200质量ppm;Al:不足250质量ppm,以及,K:不足100质量ppm。

    MnCoZn类铁素体
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114269709A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202180003658.6

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 提供一种MnCoZn类铁素体,该MnCoZn类铁素体兼具:平板状磁芯基于JIS R1607测定的断裂韧性值为1.00MPa·m1/2以上的优异的机械特性、电阻率为30Ω·m以上、居里温度为100℃以上、相同条件下制成的环形磁芯的矫顽力为15.0A/m以下并且23℃和10MHz下的初始磁导率的值为150以上的优异的磁特性。一种MnCoZn类铁素体,其为由基本成分、辅助成分和不可避免的杂质组成的MnCoZn类铁素体,不可避免的杂质中的P、B、Na、Mg、Al及K的含量分别控制在:P:不足10质量ppm;B:不足10质量ppm;Na:不足200质量ppm;Mg:不足200质量ppm;Al:不足250质量ppm,以及,K:不足100质量ppm。

    MnZn类铁素体
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114190088A

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN202180004191.7

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 本发明提供一种MnZn类铁素体,其兼具:平板状磁芯根据JIS R1607测定的断裂韧性值为1.00MPa·m1/2以上的优异的机械特性与在相同条件下制作的环形磁芯在23℃、100kHz下的初始磁导率的值为4000以上的优异的磁特性。所述MnZn类铁素体为由基本成分、辅助成分和不可避免的杂质组成的MnZn类铁素体,不可避免的杂质中的P、B、Na、Mg、Al以及K的含量分别控制为:P:不足10质量ppm,B:不足10质量ppm,Na:不足200质量ppm,Mg:不足200质量ppm,Al:不足250质量ppm,以及K:不足100质量ppm。

    锰的除去方法及氧化铁的制造方法

    公开(公告)号:CN117242196A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202280032523.7

    申请日:2022-08-17

    Abstract: 提供能够高效地分离包含三价铁离子的溶液中所含的锰离子的锰的除去方法。将包含三价铁离子的溶液中所含的锰离子除去的锰的除去方法,其中,前述溶液中的锰离子相对三价铁离子的质量比率(锰离子的质量/三价铁离子的质量)为2/98以下,使用碱性溶液和氧化剂将前述溶液的pH调整为0以上2.0以下,并且,将氧化还原电位调整为800mV以上1200mV以下,将前述溶液中所含的前述锰离子作为含锰沉淀物进行分离。

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