公开(公告)号：CN106431402A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610868690.1

申请日：2016-09-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王海欧 ,  霍德璇 ,  苏昆朋 ,  黄帅 ,  王昕

IPC: C04B35/50

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料，所述超巨磁电阻材料的化学通式为：(PrCLaDSrECaF)MnO3，其中，Mn为金属锰，O为氧，其中，C+D=0.7，E+F=0.3，所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单，易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属-绝缘转变温度及磁电阻最大值在200～300K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。

公开(公告)号：CN103468224B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310361934.3

申请日：2013-08-19

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李领伟 ,  霍德璇 ,  苏伟涛 ,  苏昆朋 ,  钱正洪

IPC: C09K5/14

Abstract: 本发明涉及一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用。本发明化学式为RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用。该RPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构。本发明磁制冷用稀土RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料不仅具有良好的磁、热可逆性质。在0～7T磁场变化下HoPdIn的等温磁熵变和磁制冷能力分别高达17.7 J/kgK和635 J/kg。本发明RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、适用于工业化。

公开(公告)号：CN103468224A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310361934.3

申请日：2013-08-19

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李领伟 ,  霍德璇 ,  苏伟涛 ,  苏昆朋 ,  钱正洪

IPC: C09K5/14

Abstract: 本发明涉及一种稀土RPdIn材料在低温磁制冷中的应用。本发明化学式为RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）的稀土金属材料在低温区磁制冷方面的应用。该RPdIn材料具有ZrNiAl型晶体结构。本发明磁制冷用稀土RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料不仅具有良好的磁、热可逆性质。在0～7T磁场变化下HoPdIn的等温磁熵变和磁制冷能力分别高达17.7J/kgK和635J/kg。本发明RPdIn（R=钬Ho、镝Dy或铽Tb）材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、适用于工业化。

公开(公告)号：CN207381201U

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201721197806.X

申请日：2017-09-19

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 霍德璇 ,  封林 ,  陈玉青 ,  赵春叶 ,  苏昆朋 ,  王海欧

IPC: H01F6/06 ,  H01B12/00 ,  H01B3/10 ,  H01B3/12

Abstract: 本实用新型提供一种全陶瓷高温超导线圈。本实用新型中的全陶瓷高温超导线圈，至少有一匝绝缘陶瓷材料包覆的高温超导线圈；超导线用的高温超导材料、匝间的绝缘材料和线圈骨架材料均为陶瓷材料，全陶瓷高温超导线圈的工作温度在80 K以下。本实用新型所采用3D打印快速成型技术，直接由高温超导材料和绝缘陶瓷材料制作线圈。该方法制作简单，成本低。同时该方案避免了高温超导材料的制线步骤，克服了制作线圈时对于绕线半径限制的困难，提高了线圈的运行温度和稳定性。