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公开(公告)号：CN113667934B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110816328.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，为了克服现有磁性材料可调控性能低，二维磁性材料磁性调节可重复性差的不足，公开一种磁性可控的二维磁性复合材料及其制备方法。底衬层与磁性层之间通过耦合作用力连接，当温度改变时会影响底衬层内部状态的改变，底衬层受到内力作用，进而会对磁性层施加应力，这种应力作用于磁性层，则会表现出磁学特性的变化。只需要控制温度就可以达到力的作用过程的可逆性，因而便实现了从调控温度的角度对磁性层磁性强弱的调控。
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公开(公告)号：CN114561580B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210203082.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C28/00 , C22C1/04 , C22C1/02 , C22F1/16 , B22F9/04 , B22F3/14 , B22F1/052 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种RE4TCd磁制冷材料，所述RE为稀土元素Dy、Ho、Tm中的一种或两种之间的混合，T为过渡金属元素Ni、Cu中的一种或两种之间的混合。本发明还公开了一种RE4TCd磁制冷材料的制备方法，包括将稀土金属与过渡金属混合熔化成RE4T合金锭，RE4T合金锭破碎与Cd粉混合，在密封模具中高压低温下烧结，再经热处理得到RE4TCd材料。本发明所述的一种RE4TCd磁制冷材料及其制备方法制备的RE4TCd磁制冷材料，在0～5的磁场变化下，磁熵变值为16.4～25.8J/kg K，具有较大的磁熵变，拓宽低温磁制冷材料的应用。
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公开(公告)号：CN114864205A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210462076.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于二维磁性材料技术领域，涉及一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法，包括以下步骤；步骤一，二维磁性材料的剥离与转移；步骤二，7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)溶液的配制；步骤三，TCNQ分子的表面铺展。本发明利用二维材料表面的有机小分子吸附形成有机‑无机杂化复合物，提高了复合物的综合磁性能，解决了二维材料居里温度低，磁性调节可控性差等缺点，形成的复合物居里温度高，在自旋电子学领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112795832B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011551726.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C33/04 , C22C38/04 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/16 , C21D1/26 , C21D1/773 , C21D6/00 , C30B29/52 , C09K5/06 , F25B21/00
Abstract: 本发明公开了一种稀土铁硼基磁制冷材料及其制备方法与应用，其特征在于化学通式为：La1‑xRExFe12‑yTyB6；为SrNi12B6型晶体结构，属于空间群，其中RE为轻稀土Pr、Nd、Sm、Y中的一者或两者之间的混合，T为过渡金属Co、Ni、Mn、Cu、Al、Cr、Zn中的一种或者多种的混合，0.03≤x≤0.5，0≤y≤3。本发明稀土铁硼材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为10.2‑16.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为12.5‑20.3J/kgK。本发明稀土铁硼材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、原料价格低廉，适用于工业化生产与应用。
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公开(公告)号：CN113667934A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110816328.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，为了克服现有磁性材料可调控性能低，二维磁性材料磁性调节可重复性差的不足，公开一种磁性可控的二维磁性复合材料及其制备方法。底衬层与磁性层之间通过耦合作用力连接，当温度改变时会影响底衬层内部状态的改变，底衬层受到内力作用，进而会对磁性层施加应力，这种应力作用于磁性层，则会表现出磁学特性的变化。只需要控制温度就可以达到力的作用过程的可逆性，因而便实现了从调控温度的角度对磁性层磁性强弱的调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110133029B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910250908.0
申请日：2019-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01R33/14 , H01F41/02 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本领域涉及稀土永磁材料领域，为解决现有方法在不同体系的扩散介质中寻找最佳的成分点时过程极为繁琐，效率低下成本高的问题，本发明提供了一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法。所述方法包括以下步骤：1)前处理：对磁体进行处理得到待扩散磁体；2)磁控溅射：对待扩散磁体进行表面处理并进行磁控溅射，在磁体表面制得扩散介质薄膜，得到镀膜磁体；3)成分检测：通过能谱分析扩散介质薄膜各区域的元素分布规律以及原子比；4)热处理：对镀膜磁体进行热处理，冷却后得到待测试样；5)磁性能检测：测试待测试样表面不同部位的磁性能；6)分析：结合成分检测结果和磁性能检测结果并得出最佳成分配比。具有高效的优点。
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公开(公告)号：CN112795832A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011551726.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C33/04 , C22C38/04 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/16 , C21D1/26 , C21D1/773 , C21D6/00 , C30B29/52 , C09K5/06 , F25B21/00
Abstract: 本发明公开了一种稀土铁硼基磁制冷材料及其制备方法与应用，其特征在于化学通式为：La1‑xRExFe12‑yTyB6；为SrNi12B6型晶体结构，属于空间群，其中RE为轻稀土Pr、Nd、Sm、Y中的一者或两者之间的混合，T为过渡金属Co、Ni、Mn、Cu、Al、Cr、Zn中的一种或者多种的混合，0.03≤x≤0.5，0≤y≤3。本发明稀土铁硼材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为10.2‑16.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为12.5‑20.3J/kgK。本发明稀土铁硼材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、原料价格低廉，适用于工业化生产与应用。
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公开(公告)号：CN111210959A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911023357.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，尤其涉及一种可通过弯曲或扭转调控磁性及相关磁效应的材料，其化学式为Ni50-aCoaMn35-bFebXc，其中12≤a≤17，0≤b≤10，5≤c≤20，X包括Sn、Ga、In、Si、Ge、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta。该材料的制备方法如下：电弧熔炼高纯度原料得到NiMi基合金块体，将块体在真空下进行熔体快淬后得到相变薄带材料。本发明克服了现有技术中通过施加等静压调控磁性的方法效果单一，且可控性差、施压方式复杂、应用受到限制的缺陷，得到相变合金薄带能够具有在室温附近表现出较大的磁性调控以及大的磁热效应，能够有效应用于磁制冷过程之中，且可通过弯曲或扭转实现应变的输出，从而调控相变合金薄带的磁性及相关磁效应，有效扩展了应用前景。
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公开(公告)号：CN110133029A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910250908.0
申请日：2019-03-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01R33/14 , H01F41/02 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本领域涉及稀土永磁材料领域，为解决现有方法在不同体系的扩散介质中寻找最佳的成分点时过程极为繁琐，效率低下成本高的问题，本发明提供了一种钕铁硼磁体中高通量设计晶界扩散物成分的方法。所述方法包括以下步骤：1)前处理：对磁体进行处理得到待扩散磁体；2)磁控溅射：对待扩散磁体进行表面处理并进行磁控溅射，在磁体表面制得扩散介质薄膜，得到镀膜磁体；3)成分检测：通过能谱分析扩散介质薄膜各区域的元素分布规律以及原子比；4)热处理：对镀膜磁体进行热处理，冷却后得到待测试样；5)磁性能检测：测试待测试样表面不同部位的磁性能；6)分析：结合成分检测结果和磁性能检测结果并得出最佳成分配比。具有高效的优点。
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公开(公告)号：CN109087767A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810898536.8
申请日：2018-08-08
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及钕铁硼磁体领域，尤其涉及一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体在钕铁硼磁体的晶界处掺杂有纳米级的扩散物，纳米级扩散物为纳米RE100-xMx粉体，其中RE为稀土元素，M为金属元素，成分比例100-x：x为原子比，扩散物的晶粒尺寸为10～100nm，扩散物在晶界处掺杂并原位扩散。整体磁体具有更加优秀的磁性能。并且在掺杂和原位扩散的作用下，能够对磁体的耐热性能、机械性能以及耐化学性能形成多方面的强化。
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