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公开(公告)号：CN111725978A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010624746.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种具有负压关断和串扰抑制功能的SiC MOSFET栅极驱动电路，第一稳压管与第一电容并联后的前端与前级的功率推挽电路T1、T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的前端连接，第二二极管的负极通过第二电容、第三电阻的并联电路与接地端、第三电容与第四电阻的后端连接，第一二极管的正极与第一电阻的前端连接，第一mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第一mos管的漏极通过第三电容与接地端连接，第一电阻的后端、第二电阻的后端、第一mos管的源极与SiC MOSFET的栅极连接。
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公开(公告)号：CN111725978B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010624746.5
申请日：2020-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明公开了一种具有负压关断和串扰抑制功能的SiC MOSFET栅极驱动电路，第一稳压管与第一电容并联后的负极与前级的功率推挽电路T1、T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的正极与第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的前端连接，第二二极管的负极通过第二电容、第三电阻的并联电路与接地端、第三电容与第四电阻的后端连接，第一二极管的正极与第一电阻的前端连接，第一mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第一mos管的漏极通过第三电容与接地端连接，第一电阻的后端、第二电阻的后端、第一mos管的源极与SiC MOSFET的栅极连接。
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公开(公告)号：CN110518801B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910623824.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江大邦科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双重移相调制下双有源全桥变换器小信号建模方法，对建立的大信号等效电路进行线性化，结合数学模型建立小信号模型，从而得到了变换器的不同工作模式下，对应不同控制变量的控制‑输出的小信号模型。并公开了根据等效电路的特点对模型进一步简化的方法，进一步公开了双有源全桥变换器的控制输出特性用一阶系统进行等效的电路模型。本发明对等效电路进行线性化，并结合数学模型对其进行小信号特性进行讨论，能得到不同控制变量的控制‑输出的小信号模型。本发明可以用一阶系统进行近似，则双有源全桥变换器的控制‑输出特性可近似用一阶系统进行描述。从而为双有源全桥变换器的控制和稳定性分析等相关研究工作提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN110518801A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910623824.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江大邦科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双重移相调制下双有源全桥变换器小信号建模方法，对建立的大信号等效电路进行线性化，结合数学模型建立小信号模型，从而得到了变换器的不同工作模式下，对应不同控制变量的控制-输出的小信号模型。并公开了根据等效电路的特点对模型进一步简化的方法，进一步公开了双有源全桥变换器的控制输出特性用一阶系统进行等效的电路模型。本发明对等效电路进行线性化，并结合数学模型对其进行小信号特性进行讨论，能得到不同控制变量的控制-输出的小信号模型。本发明可以用一阶系统进行近似，则双有源全桥变换器的控制-输出特性可近似用一阶系统进行描述。从而为双有源全桥变换器的控制和稳定性分析等相关研究工作提供了新的思路。
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