公开(公告)号：CN1639058A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02802243.2

申请日：2002-06-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 鸟巢纯一 ,  跡边仁志 ,  星野恭之

IPC: C01B7/20 ,  C01G53/08 ,  G01N30/14 ,  G01N21/35 ,  H01S3/225

CPC classification number: G01N21/3504 ,  C01B7/20 ,  G01N21/0303 ,  G01N21/09 ,  G01N2030/143 ,  H01S3/036 ,  H01S3/225 ,  Y10T436/19

Abstract: 在容器中分别进行至少一次步骤(1)将氟镍化合物加热以释放氟气体、步骤(2)使氟气体包藏在氟镍化合物内以及步骤(3)将氟镍化合物加热并降低内压，随后在步骤(1)中获得高纯氟气体。此外，在其表面上具有形成的氟化层的容器中，分别进行至少一次步骤(5)将氟镍化合物加热并将降低内压和步骤(6)使氟化氢含量降低的氟气体被包藏到氟镍化合物内，并进一步进行步骤(5)，然后将含不纯物的氟气体与氟镍化合物接触以固定并除去氟气体，和通过气相色谱分析不纯物。

公开(公告)号：CN103896306A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310728108.8

申请日：2013-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 星野恭之 ,  村川美奈子 ,  跡边仁志 ,  二瓶直史

IPC: C01C1/12 ,  C01C1/04 ,  B01D3/02 ,  C07C31/04 ,  C07C29/151

Abstract: 本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。

公开(公告)号：CN100573828C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580023034.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 星野恭之 ,  寒川诚二

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明开发一种等离子体处理的方法，该等离子体处理使用没有温室效应的气体，以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进，并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤：将含有氟气(F2)的处理气体馈入等离子体生成腔，交替地重复施加停止施加高频电场，以生成等离子体，和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外，衬底处理可如下进行，单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子，或者选择性地只获取阴离子，将其中和，以生成中性束并将中性束辐射到衬底。