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公开(公告)号:CN103493265A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201280020089.7
申请日:2012-04-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01M4/366 , C01B25/37 , C01B25/45 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02P70/54
Abstract: 提供即使因充放电活性物质粒子反复膨胀收缩,或引起电池的外部环境的温度变化,也能够抑制结构劣化发生的锂二次电池用正极材料的制造方法、锂二次电池用正极材料以及锂二次电池。采用一种锂二次电池用正极材料,该正极材料的特征在于,在纤维状碳的表面接合有包含橄榄石型LiMPO4的多个正极活性物质粒子,其中所述M为Fe、Mn、Ni和Co中的任1种或2种以上的元素。
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公开(公告)号:CN103503207B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201280020124.5
申请日:2012-04-25
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B25/45 , H01M4/5825 , H01M10/052
Abstract: 提供一种包含在合成锂金属磷酸盐后的洗涤时,抑制来自该锂金属磷酸盐的锂离子的溶出,能够构成放电容量提高的锂二次电池的、锂二次电池用正极活性物质的制造方法。本发明的锂二次电池用正极活性物质的制造方法,其特征在于,合成用组成式LiMPO4表示的锂金属磷酸盐之后,用包含锂离子的洗涤液洗涤所述锂金属磷酸盐,元素M为Fe、Mn、Co和Ni中的任一种或二种以上的过渡金属。
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公开(公告)号:CN103080000A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180042177.2
申请日:2011-09-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种锂金属磷酸盐的制造方法,其包括:在极性溶剂的存在下,使从氢氧化锂等锂离子(Li+)源、二价过渡金属硫酸盐等二价过渡金属离子(M2+)源和磷酸等磷酸根离子(PO43-)源向锂金属磷酸盐转变的转变反应在150℃以上开始进行。前述转变反应通过使包含锂离子、二价过渡金属离子和磷酸根离子中的任一种离子的液体A与液体B在150℃以上接触而开始进行,其中,所述液体B包含除液体A中含有的上述离子之外的离子,或者,前述转变反应通过使包含锂离子、二价过渡金属离子和磷酸根离子的pH不足4的液体C的pH达到4以上而开始进行。
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公开(公告)号:CN103053052A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201280002229.8
申请日:2012-04-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01M4/5825 , C01B25/37 , C01B25/45 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/625 , Y02P20/134
Abstract: 本发明提供能够实现高容量、良好的放电率特性的由橄榄石型的锂金属磷酸盐和碳的复合体形成的锂二次电池用正极活性物质的制造方法。本发明的锂二次电池用正极活性物质的制造方法,其特征在于,包含以下工序:测定组成式LiMPO4(元素M是选自Fe、Mn、Ti、V、Cr、Co、Ni、Nb、Ta、Mo、W中的任一种或两种以上的过渡金属)所示的磷酸化合物的组成比,确定所述组成比达不到Li∶M∶P=1∶1∶1的元素的工序;将作为与所述确定出的元素对应的元素源的锂源、金属(M)源或磷酸源、与所述磷酸化合物、以及碳质材料或碳质材料前体进行混炼,得到第1含碳混合物的工序;以及对所述第1含碳混合物进行烧成的工序。
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公开(公告)号:CN100468586C
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN02803620.4
申请日:2002-09-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种含有孔径分布具有多个峰的钽烧结体,其中在多个峰中,具有最大相对强度和第二大相对强度的两个峰具有0.2~0.7μm的孔径和0.7~3μm的孔径,包括孔空隙的体积在内烧结体的体积为10mm3或以上,且具有0.2~7m2/g的比表面积,当在1300℃烧结时具有40,000~200,000μFV/g的CV值,以及使用该烧结体的电容器。
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公开(公告)号:CN100456399C
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN02803672.7
申请日:2002-10-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及一种将从铌粒子的表面起深度50~200nm的层的平均氮浓度控制为0.29~4质量%、进一步优选表面至深度50nm的层的氮浓度控制为0.19~1质量%的,可提供泄漏电流值小的电容器用铌粉、铌烧结体、铌烧结体的化学改性体以及使用它们的电容器。
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公开(公告)号:CN100409385C
公开(公告)日:2008-08-06
申请号:CN02806564.6
申请日:2002-03-15
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及:1.一种用于电容器的铌粉末,其中铬含量为50ppm质量或更少,以及其颗粒产品和烧结体,以及它们的制备方法;2.从一个由铌烧结体形成的电极、另一个电极和置于这两个电极之间的介电材料构成的电容器,及其制备方法;和3。使用该电容器的电路和电子设备。通过使用本发明的用于电容器的铌烧结体,可以获得具有良好耐电压性的电容器,其中铬含量为50ppm质量或更少。
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公开(公告)号:CN1507643A
公开(公告)日:2004-06-23
申请号:CN01808296.3
申请日:2001-04-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01G9/052
CPC classification number: H01G9/0525 , C22C32/0068
Abstract: 一种铌烧结体,它是以这样的方式制备的:在烧结过程中将铌粉末在温度500℃-2000℃下烧结并在最高烧结温度下持续60分钟至150分钟。本发明的铌烧结体的特点在于每单位质量的电容(C)和形成电压(V)的乘积(CV)为90,000μF·V/g或更大,而所述铌粉末的初级粒子的平均粒径(D50)和漏电流(LC)二者之积除以所述CV所得到的值为5×10-4μm·μA/(μF·V)或更小。而且可提供一种即具有优选的低漏电流值又有大电容的良好平衡的电容器,即一种高度可靠的电容器。
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