公开(公告)号：CN101238192A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200680028977.8

申请日：2006-08-03

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  AGC清美化学股份有限公司

Inventor： 神谷广幸 ,  次田克幸

IPC: C09K3/14 ,  H05K3/26

CPC classification number: H05K3/045 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H05K3/107 ,  H05K3/26 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/0786

Abstract: 本发明涉及研磨剂组合物，它是包含磨粒、氧化剂、电解质和水性介质的研磨剂组合物，其特征在于，由前述电解质生成的离子包括铵离子、作为选自多元羧酸根离子和羟酸根离子的至少1种的有机羧酸根离子以及选自碳酸根离子、碳酸氢根离子、硫酸根离子和乙酸根离子的至少1种离子。在树脂基材1上设置配线沟2，在配线沟2中埋入配线金属3后，使用本发明的研磨剂组合物对配线金属3进行研磨。由此，使对树脂基材1和金属配线3的损伤的发生达到最低限度，研磨速度快，可以使生产效率提高。

公开(公告)号：CN101230250A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710307391.1

申请日：2003-09-05

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  清美化学股份有限公司

Inventor： 真丸幸惠 ,  神谷广幸 ,  林笃 ,  次田克幸

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明涉及一种绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法。为了对应用于半导体集成电路的、由具有C－Si键及Si－O键的有机硅材料形成的绝缘膜的表面进行研磨，采用包含水、以及选自La(OH)3、Nd(OH)3、Pr(OH)3、CeLa2O3F3和氧化铈以外的稀土类氧化物的1种以上的特定稀土类化合物的粒子的研磨剂组合物或其中还含有氧化铈粒子的研磨剂组合物。这样可形成无或较少产生裂缝、擦痕及膜剥离等缺陷的高品质的研磨表面。