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公开(公告)号：CN1777689A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010952.6
申请日：2004-04-23
Abstract: 本发明提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其C与Si的原子数比为0.5－0.95，在含氧化气体的气氛中，用频率为1－1,000kHz交流电进行AC溅射，在一基片上沉积氧化硅薄膜。
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