公开(公告)号：CN116018260A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202180054549.7

申请日：2021-06-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: B32B9/00

Abstract: 本发明的层叠结构体是在基底基板上具备包含α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体的具有刚玉型结晶结构的半导体膜的层叠结构体，其中，半导体膜的平均膜厚为10μm以上，半导体膜呈凸状或凹状翘曲，半导体膜的翘曲量为20μm以上64μm以下。

公开(公告)号：CN113677833A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN201980093708.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史

IPC: C30B29/16 ,  C30B29/22 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供结晶缺陷明显较少的半导体膜。该半导体膜具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面的结晶缺陷密度为1.0×106/cm2以下。

公开(公告)号：CN114269972B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN201980098054.7

申请日：2019-09-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种α－Ga2O3系半导体膜，其能够明显地提高器件的成品率。该α－Ga2O3系半导体膜是：以具有由α－Ga2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构的结晶为主相的圆形的半导体膜。该半导体膜的表面的中心点X以及4个外周点A、B、C及D各自处的偏角的最大值θmax和最小值θmin满足θmax－θmin≤0.30°的关系。偏角定义为：沿着半导体膜的大致法线方向取向的结晶轴相对于半导体膜的膜面的法线的倾斜角度。外周点A、B、C及D以如下方式进行确定：i)将外周点A及外周点C连结的直线和将外周点B及外周点D连结的直线在中心点X处呈直角相交；且ii)外周点A、B、C及D距半导体膜的外缘的各最短距离为半导体膜的半径的1/5。

公开(公告)号：CN113614293B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202080006855.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/08

Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，且在取向层中存在多个气孔。

公开(公告)号：CN113614293A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080006855.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  渡边守道 ,  吉川润

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/08

Abstract: 本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，且在取向层中存在多个气孔。

公开(公告)号：CN107074573A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580047885.3

申请日：2015-11-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史 ,  佐藤圭 ,  七泷努

IPC: C01F7/02 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01F7/30 ,  C01F7/441 ,  C01F7/442 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/22 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/111 ,  C04B35/626 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/72 ,  C30B1/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/64

Abstract: 将γ－氧化铝粉末96质量份、AlF3粉末4质量份、作为晶种的α－氧化铝粉末0.17质量份用罐磨机进行混合。对使用的各原料的纯度进行评价，结果，Al、O、F、H、C、S以外的各元素的质量比例为10ppm以下。将得到的混合粉末300g放入纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的匣钵中，盖上纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的盖子，在电炉内，空气流中于900℃进行3小时的热处理，得到板状氧化铝粉末。AlF3质量除以匣钵的体积而得到的值(AlF3质量/容器体积)为0.016g/cm3。得到的板状氧化铝粒子为纵横尺寸比11.5的α－氧化铝粒子。