公开(公告)号：CN1965414B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580018358.6

申请日：2005-04-05

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 大桥启之 ,  石勉 ,  马场寿夫 ,  藤方润一 ,  牧田纪久夫

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明涉及一种肖特基光电二极管，其包括半导体层和配置为接触半导体层的导电膜。导电膜具有小孔和配置在所述小孔周围的周期性结构，用于借助膜表面的入射光通过导电膜的膜表面中受激发的表面等离子体激元产生共振状态。光电二极管探测由受激的表面等离子体激元在导电膜和半导体层之间界面处产生的近场光。小孔具有小于入射光波长的直径。

公开(公告)号：CN101563790A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047116.9

申请日：2007-11-28

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 藤方润一 ,  冈本大典 ,  牧田纪久夫 ,  西研一 ,  大桥启之

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/1085 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1226 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/105

Abstract: 提供一种实现发光二极管的感光灵敏度和快速性的装置构造。一种在半导体层的表面设置有导电层的肖特基势垒型的发光二极管，所述发光二极管构成为光能够从所述半导体层的背面侧入射，在所述发光二极管的肖特基接合部的周围形成有周期构造，该周期构造使从所述半导体层的背面侧入射的光产生表面等离子体共振。

公开(公告)号：CN101213462A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024139.3

申请日：2006-06-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田正文 ,  岩波瑞树 ,  大桥启之 ,  增田则夫

IPC: G01R29/08 ,  G01R31/308

CPC classification number: G01R15/247

Abstract: 本发明提供一种电场/磁场传感器及它们的制造方法，通过气浮沉积法将法布里佩洛型谐振器结构的电气光学膜直接形成在光纤维的顶端部的研磨面而得到所述电场传感器。