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公开(公告)号：CN101413909A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810171556.1
申请日：2008-10-17
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
CPC classification number: G01N27/4077
Abstract: 一种气体传感器，其包括：金属壳；检测元件主体，其被金属壳保持；多孔质保护层，其被涂覆在检测元件主体的前端部上；以及包括侧壁的保护件，该侧壁围绕检测元件主体的从金属壳的前端突出的元件突出部。该侧壁具有形成在侧壁中且允许气体被导入的导入孔。多孔质保护层包括第一部分和第二部分，该第二部分相对于第一部分被设置在基端侧并且具有沿朝向检测元件主体的前端的方向逐渐减小的厚度。第二部分沿轴向被布置成比导入孔靠近检测元件主体的基端。
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公开(公告)号：CN101413909B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810171556.1
申请日：2008-10-17
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
CPC classification number: G01N27/4077
Abstract: 一种气体传感器，其包括：金属壳；检测元件主体，其被金属壳保持；多孔质保护层，其被涂覆在检测元件主体的前端部上；以及包括侧壁的保护件，该侧壁围绕检测元件主体的从金属壳的前端突出的元件突出部。该侧壁具有形成在侧壁中且允许气体被导入的导入孔。多孔质保护层包括第一部分和第二部分，该第二部分相对于第一部分被设置在基端侧并且具有沿朝向检测元件主体的前端的方向逐渐减小的厚度。第二部分沿轴向被布置成比导入孔靠近检测元件主体的基端。
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公开(公告)号：CN1841057B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200610066900.1
申请日：2006-03-31
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: G01N27/407
CPC classification number: G01N27/4071 , Y10T156/107
Abstract: 一种气体传感器元件及其制造方法、以及气体传感器，该气体传感器元件(300)包括板状第二固体电解质构件(109)、形成在第二固体电解质构件上的第四电极(110)、以及包括具有插入孔(112a)的加强构件(112)和设置在插入孔内的用于保护第四电极不被污染的多孔电极保护构件(113a)的保护层(111)。本方法包括：压制步骤，在将未烧结电极保护构件设置在未烧结加强构件的插入孔内之后，压制未烧结加强构件和未烧结电极保护构件中的至少一个，以形成未烧结保护层；层叠成形步骤，将未烧结保护层和未烧结固体电解质构件层叠布置以形成层叠体，该层叠体经过烧结将变成气体传感器元件；以及烧结层叠体的烧结步骤。
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公开(公告)号：CN100387979C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN03103722.4
申请日：2003-02-17
Applicant: 日本特殊陶业株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/409 , G01N27/41
CPC classification number: C04B35/486 , B32B18/00 , C04B35/111 , C04B35/4885 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3246 , C04B2235/3418 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , G01N27/4071
Abstract: 一种具有叠层的气体传感器(1a)，所述叠层包括：氧化铝基片(11)，具有嵌入在氧化基片(11)中的加热电阻器(115)；第一氧离子传导性固体电解质层(131)，含有氧化锆和氧化铝，并且部分地构成测氧池(13)，并且所述的第一氧离子传导性固体电解质层(131)与所述的氧化铝基片(11)层叠；第二氧离子传导性固体电解质层(121)，含有氧化锆和氧化铝，并且部分地构成泵氧池(12)；防离子泄露陶瓷垫片(143)，用于防止氧离子从第二氧离子传导性固体电解质层(121)向第一氧离子传导性固体电解质层(131)泄露，所述的垫片(143)层叠在所述的第一和第二氧离子传导性固体电解质层(131、121)之间；以及气体扩散空间(141)，形成在测氧池(13)的电极(133)与泵氧池(12)的电极(126)之间。而且，叠层(1a)是共烧的。优选地，至少含在第二固体电解质层中的氧化锆是部分稳定化了的氧化锆，所述氧化锆的相态基本上由四方体相态和立方体相态构成。另外，在氧化铝基片(11)中可选择地嵌入防离子迁移电极(117)以防止金属离子迁移。
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