-
公开(公告)号：CN103245548A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310050889.X
申请日：2013-02-08
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: G01N1/32
CPC classification number: C23C16/486 , G01N1/28 , G01N1/32 , H01J2237/31745
Abstract: 本发明提供了一种TEM样本制备方法。TEM样本制备方法包括：将薄片样本放置在样本支架上从而该薄片样本的第一侧面与聚焦离子束镜筒相对，其中该第一侧面比该薄片样本的第二侧面离薄片样本内的所期望的观察对象更近；为了形成薄膜部，对于第一侧面的与该薄膜部相邻的区域设置将利用聚焦离子束对其进行蚀刻处理的处理区域，该薄膜部包括观察对象并且具有基本上平行于薄片样本的厚度方向的厚度方向；以及对于薄片样本的从其第一侧面延伸到其前表面的部分通过利用来自聚焦离子束镜筒的聚焦离子束照射处理区域执行蚀刻处理。
Search Results
11
records
(took 0.024 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
