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公开(公告)号:CN115315760A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202180022926.9
申请日:2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 透明导电层3具备第一主面5和在厚度方向上与第一主面5相对的第二主面6。透明导电层3具有:第一晶界7,其在剖视时的两个端部边缘23均朝着第一主面5敞开,且两个端部边缘23之间的中间区域25不接触第二主面6;以及第一晶粒31,其被第一晶界7隔开,且仅面向第一主面5。透明导电层3含有原子序数比氩原子大的稀有气体原子。
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公开(公告)号:CN115315759A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202180022376.0
申请日:2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B1/20 , B32B9/00 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08
Abstract: 透明导电层1包含氪原子。X射线衍射的峰的半值宽度在(222)面中为0.31°以下。
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公开(公告)号:CN115315758A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202180021801.4
申请日:2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/04 , B32B9/00 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备树脂薄膜(11)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)在与厚度方向(D)正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力,且在与厚度方向(D)和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。
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公开(公告)号:CN115298760A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202180021980.1
申请日:2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透光性导电膜(20)在透光性导电膜(20)的厚度方向(D)的至少一部分包含以小于0.1原子%的含有比例含有氪的区域。本发明的透明导电性薄膜(X)具备透明基材(10)和透光性导电膜(20),所述透光性导电膜(20)配置在透明基材的厚度方向(D)的一面侧。
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公开(公告)号:CN115298757A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202180021855.0
申请日:2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B1/08 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透光性导电膜(20)为非晶质,包含含有氪的导电性氧化物层,且具有4×10‑4Ω·cm以上的电阻率。本发明的透明导电性薄膜(X)具备透明基材(10)和透光性导电膜(20),所述透光性导电膜(20)位于透明基材(10)的厚度方向(D)的一面侧。
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公开(公告)号:CN115298022A
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN202180022465.5
申请日:2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B7/025 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01B5/14 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , B32B7/023 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪。透光性导电层(20)中的压缩残余应力小于490MPa。
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