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公开(公告)号:CN102543301A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110346352.9
申请日:2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明提供能缩短结晶化时间的透明导电性膜的制造方法。其为在透明的膜基材的至少一面具有透明导电层的透明导电性膜的制造方法,其具有如下所述的形成铟系复合氧化物的非晶质层的工序(A)和工序(B),所述工序(A)包含在所述透明的膜基材上依次实施通过溅射堆积以4价金属元素的氧化物的比例为3~35重量%的铟系复合氧化物的工序(A1)和通过溅射堆积氧化铟或所述4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下、且所述4价金属元素的氧化物的比例比工序(A1)中使用的铟系复合氧化物小的铟系复合氧化物工序(A2),所述工序(B)通过加热所述非晶质层使其结晶化,形成铟系复合氧化物的结晶质的透明导电层。
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公开(公告)号:CN102543268A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110346353.3
申请日:2011-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29C71/02 , C23C14/086 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜具有可以缩短结晶化时间的透明导电性薄膜。一种在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜,所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜,在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的第一透明导电性薄膜(21),从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的第二透明导电性薄膜(22)。
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