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发明公开
碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置有权

公开(公告)号：CN107533961A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580007858.3

申请日：2015-12-11

Applicant: 新电元工业株式会社

Inventor： 福田祐介 , 渡部善之

IPC: H01L21/28

Abstract: 碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在施加外力使碳化硅晶片(10)以及金属层(21)平坦化的状态下，对金属层(21)进行激光照射从而在金属层(21)的背面侧形成与碳化硅晶片(10)中的碳反应后的碳化物层(20)的工序；以及在碳化物层(20)的背面侧形成背面电极(40)的工序。

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