公开(公告)号：CN1851921A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200610074615.4

申请日：2006-04-20

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 菊田邦子 ,  富留宫正之 ,  山本良太 ,  中山诚

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括具有MIM结构的电容器的半导体器件，通过其来提高器件的尺寸精度，并且提供稳定的电容值。半导体器件(100)包括：半导体衬底(102)；形成有MIM电容器的电容器形成区(130)，其中MIM电容器具有形成在半导体衬底(102)上的绝缘夹层(104)、第一电极(110)以及第二电极(112)，并且第一电极(110)和第二电极(112)通过绝缘夹层(104)彼此面对地排列；以及包括多个屏蔽电极(114)的屏蔽区(132)，其中多个屏蔽电极(114)形成在电容器形成区(130)的外边缘，并且同时在与半导体衬底(102)上的MIM电容器的层相同的层中其被设置在预定的电位，并且将电容器形成区(130)从其它区屏蔽开。

公开(公告)号：CN100485933C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610074615.4

申请日：2006-04-20

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 菊田邦子 ,  富留宫正之 ,  山本良太 ,  中山诚

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括具有MIM结构的电容器的半导体器件，通过其来提高器件的尺寸精度，并且提供稳定的电容值。半导体器件(100)包括：半导体衬底(102)；形成有MIM电容器的电容器形成区(130)，其中MIM电容器具有形成在半导体衬底(102)上的绝缘夹层(104)、第一电极(110)以及第二电极(112)，并且第一电极(110)和第二电极(112)通过绝缘夹层(104)彼此面对地排列；以及包括多个屏蔽电极(114)的屏蔽区(132)，其中多个屏蔽电极(114)形成在电容器形成区(130)的外边缘，并且同时在与半导体衬底(102)上的MIM电容器的层相同的层中其被设置在预定的电位，并且将电容器形成区(130)从其它区屏蔽开。

公开(公告)号：CN100420010C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510116170.7

申请日：2005-10-24

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 富留宫正之 ,  菊田邦子 ,  山本良太 ,  中山诚

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底上形成的多层布线结构、和在多层布线结构中建立的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器排列。MIM电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构。第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。