公开(公告)号：CN101053129A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580031050.5

申请日：2005-09-16

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： C·G·卡诺 ,  B·L·霍尔 ,  西山信彦 ,  C·-E·扎

IPC: H01S3/08 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/183 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34313

Abstract: 组装具有高反射率DBR(3)、用于发射中心波长在大约1.30微米附近的光的磷化铟基VCSEL(1)的方法。所述方法包括选择工作波长，决定对应于所述波长的光子能，选择最高工作温度，并且组装由外延生长在基材上以获得等于或大于光子能总数与最高工作温度加110再除以1.96的和的能带隙的材料所形成的DBR(3)的至少一半的高指数层(3a)。使用具有这样的能带隙的高指数层(3a)在DBR(3)内交叠层的折射指数间创造了足够大的差异，同时至少在最高达所需的工作温度下保持低的光吸收以维持反射率，并避免用到需要结合或变形生长在基材(2)上的DBR(3)。