公开(公告)号：CN1091287C

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：CN97112780.8

申请日：1997-06-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 神田晃树 ,  高桥实 ,  木内克己 ,  越川誉生

IPC: G11B5/39 ,  G11B21/21

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  G11B5/4886 ,  G11B5/58 ,  G11B19/04

Abstract: 一种MR头包括一滑动臂，和一位于滑动臂的空气流出侧且包括一用于重现信息的MR头的薄膜结构部分，该薄膜结构部分具有一位置在与滑动臂的浮离表面同一侧的端面。薄膜结构部分的端面与滑动臂的浮离表面形成一阶状凹部，其深度使得能够防止磁盘上的细微凸起与薄膜结构部分的该端面相碰撞。

公开(公告)号：CN1074152C

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN97102019.1

申请日：1997-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大塚善德 ,  沟下义文 ,  越川誉生

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/09 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/40 ,  G11B19/04 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16

Abstract: 一种自旋阀磁电阻头包括具有第一磁化自由层和经过第一非磁性中间层的第一磁化钉扎层的第一自旋阀器件，具有第二磁化自由层和经过第二非磁性中间层的第二磁化钉扎层的第二自旋阀器件，由此使第一和第二磁化钉扎层磁化成互相逆平行和根据外磁场可转动地磁化第二磁化自由层。

公开(公告)号：CN1161531A

公开(公告)日：1997-10-08

申请号：CN97102019.1

申请日：1997-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大塚善德 ,  沟下义文 ,  越川誉生

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/09 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/40 ,  G11B19/04 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/16

Abstract: 一种自旋阀磁阻头包括具有第一磁化自由层和经过第一非磁性中间层的第一磁化闭合层的第一自旋阀器件，具有第二磁化自由层和经过第二非磁性中间层的第二磁化闭合层的第二自旋阀器件，由此使第一和第二磁化闭合层磁化成互相逆平行和根据外磁场可转动地磁化第二磁化自由层。