公开(公告)号：CN1702830A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510079084.3

申请日：2003-05-16

Applicant: 富士通株式会社 ,  株式会社日本激光

Inventor： 佐佐木伸夫 ,  宇塚达也 ,  大木孝一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  G02F1/133

Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括激光源；用于支承包括无定形半导体的基片的平台；光学聚焦系统；以及所述平台包括平行放置并且同步地在第一方向上运动的第一台部件、置于第一台部件上方并且在与第一方向相垂直的第二方向上运动的第二台部件、可旋转地置于第二台部件上方的第三台部件，使得由激光源所发射的激光束通过该光学聚焦系统被照射到固定到第三台部件的基片上的半导体上，以使该半导体熔化和结晶化。

公开(公告)号：CN1702829A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510079083.9

申请日：2003-05-16

Applicant: 富士通株式会社 ,  株式会社日本激光

Inventor： 佐佐木伸夫 ,  宇塚达也 ,  大木孝一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  G02F1/133

Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的一个半导体层，以使得该半导体层熔化和结晶化，其中所述多个激光束不重叠地照射到该基片上，相互平行地扫描该半导体层，并且被定位，使得它们的熔化轨迹相互重叠。