一种长锥形光纤的制造装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN112666658B

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202011597927.X

    申请日:2020-12-29

    IPC分类号: G02B6/255

    摘要: 本发明提供一种长锥形光纤的制造装置及其使用方法,其解决了现有技术很难实现腰区长度达数毫米级且高对称性锥形光纤的制造的技术问题,其包括基座,多组电极对并排均布间隔,直线导轨连接在基座上;光纤牵引座设凹槽、螺纹孔,凹槽与直线导轨滑动适配,旋转电机的动力输出轴与丝杠同轴连接,丝杠与螺纹孔适配,丝杠与直线导轨平行;光纤牵引座装有旋转电机,旋转电机的动力输出轴与光纤夹具同轴连接,棒形光纤被光纤夹具拉直后,棒形光纤、一对旋转电机的动力输出轴三者同轴设置,每组电极对的两个电极的中心连线与棒形光纤相互十字交叉垂直设置,本发明还公开了一种长锥形光纤的制造装置的使用方法,可广泛应用于锥形光纤的制造技术领域。

    一种高增益Ho3+/Tm3+/Yb3+共掺石英光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN112851127A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110058187.0

    申请日:2021-01-16

    摘要: 本发明提供一种高增益Ho3+/Tm3+/Yb3+共掺石英光纤及其制备方法,其解决了传统石英光纤的稀土离子溶解度低,2.0μm波段石英光纤的单位增益较低的技术问题,石英光纤设有芯层、内包层、外包层,芯层按照质量百分数由以下原材料制成:Ho(tmhd)3:0.1~0.5%;Tm(tmhd)3:0.5~1.8%;Yb(tmhd)3:1.0~2.7%;SiCl4:40~60%;GeCl4:8~25%;SiF4:5~9%;POCl3:8~12%;AlCl3:3~10%;BiCl3:3~10%;内包层按照质量百分数由以下原材料制成:Tm(tmhd)3:0.5~3.0%;Yb(tmhd)3:1.0~3.0%;SiCl4:45~55%;GeCl4:15~25%;SiF4:5~10%;POCl3:7~11%;AlCl3:5~8%;BiCl3:3~5.5%;本发明还公开了一种高增益Ho3+/Tm3+/Yb3+共掺石英光纤的制备方法,可广泛应用于光纤技术领域。

    一种单模阶跃型聚合物光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN112198585A

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN202010904696.6

    申请日:2020-09-01

    IPC分类号: G02B6/02 B29C69/00 B29L11/00

    摘要: 本发明涉及一种单模阶跃型聚合物光纤及其制备方法,解决了现有SI‑POF预制棒制造过程中很难保证芯层达到光折射率均匀分布的要求,以及SI‑POF芯层中引入的掺杂剂显著增加了光传播损耗的技术问题,其由芯层和包层组成,所述包层包裹在所述芯层外,且与所述芯层相连接,所述芯层材料为Zeonex E48R,所述芯层直径为4.4~4.8μm;所述包层材料为Zeonex 480R,所述包层外径为124~126μm;所述芯层和所述包层为同心轴结构;同时本发明公开了单模阶跃型聚合物光纤的制备方法;可广泛应用于聚合物光纤制备技术领域。

    一种高增益Ho3+/Tm3+/Yb3+共掺石英光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN112851127B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110058187.0

    申请日:2021-01-16

    摘要: 本发明提供一种高增益Ho3+/Tm3+/Yb3+共掺石英光纤及其制备方法,其解决了传统石英光纤的稀土离子溶解度低,2.0μm波段石英光纤的单位增益较低的技术问题,石英光纤设有芯层、内包层、外包层,芯层按照质量百分数由以下原材料制成:Ho(tmhd)3:0.1~0.5%;Tm(tmhd)3:0.5~1.8%;Yb(tmhd)3:1.0~2.7%;SiCl4:40~60%;GeCl4:8~25%;SiF4:5~9%;POCl3:8~12%;AlCl3:3~10%;BiCl3:3~10%;内包层按照质量百分数由以下原材料制成:Tm(tmhd)3:0.5~3.0%;Yb(tmhd)3:1.0~3.0%;SiCl4:45~55%;GeCl4:15~25%;SiF4:5~10%;POCl3:7~11%;AlCl3:5~8%;BiCl3:3~5.5%;本发明还公开了一种高增益Ho3+/Tm3+/Yb3+共掺石英光纤的制备方法,可广泛应用于光纤技术领域。

    一种用光纤布拉格光栅测定磁场特性的装置与方法

    公开(公告)号:CN113281685A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110618093.4

    申请日:2021-06-03

    IPC分类号: G01R33/032

    摘要: 本发明提供一种用光纤布拉格光栅测定磁场特性的装置与方法,其解决了现有的磁场强度和位置不能同时测量的技术问题,其设有一对线性位移平台,两个线性位移平台相对间隔设置,每个线性位移平台上各安装有一个磁体,两个磁体的磁极相反,且正对设置;两个磁体之间设有装有磁流变液的密闭容器,磁流变液内分别插入FBG传感器和霍尔探头,FBG传感器与光学询问器通过光纤连接,霍尔探头与特斯拉计电连接;两个磁体相对于密闭容器呈对称间隔设置,本发明还公开了用FBG测定磁场特性的方法,可广泛应用于FBG传感器领域。

    一种单模阶跃型聚合物光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN112198585B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202010904696.6

    申请日:2020-09-01

    IPC分类号: G02B6/02 B29C69/00 B29L11/00

    摘要: 本发明涉及一种单模阶跃型聚合物光纤及其制备方法,解决了现有SI‑POF预制棒制造过程中很难保证芯层达到光折射率均匀分布的要求,以及SI‑POF芯层中引入的掺杂剂显著增加了光传播损耗的技术问题,其由芯层和包层组成,所述包层包裹在所述芯层外,且与所述芯层相连接,所述芯层材料为Zeonex E48R,所述芯层直径为4.4~4.8μm;所述包层材料为Zeonex 480R,所述包层外径为124~126μm;所述芯层和所述包层为同心轴结构;同时本发明公开了单模阶跃型聚合物光纤的制备方法;可广泛应用于聚合物光纤制备技术领域。